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ATmega323(L)
EEPROM控制寄存器
- EECR
位
$1C ($3C)
读/写
初始值
7
–
R
0
6
–
R
0
5
–
R
0
4
–
R
0
3
EERIE
读/写
0
2
EEMWE
读/写
0
1
EEWE
读/写
X
0
EERE
读/写
0
EECR
位7..4 - Res：保留位
这些位是保留位在ATmega323 ，读为零。
位3 - EERIE ： EEPROM就绪中断使能
当SREG和EERIE的I位被置位（ 1 ） ， EEPROM就绪中断
启用。当清零（零） ，中断被禁止。 EEPROM就绪中断
生成时EEWE清零恒定中断（零）。
位2 - EEMWE ： EEPROM写使能
该EEMWE位决定设置EEWE一个是否会导致EEPROM是
写的。当EEMWE被设置为（ 1 ） EEWE置将在将数据写入到EEPROM中
指定地址;若EEMWE为零，设置EEWE将没有任何效果。当EEMWE
已设置（ 1 ）通过软件，硬件清零位后4个时钟周期。
看到EEWE位的EEPROM写过程的描述。
位1 - EEWE ： EEPROM写使能
EEPROM的写使能信号EEWE是写选通到EEPROM中。当
地址和数据的设置是否正确， EEWE位必须设置为写入值成
EEPROM中。当逻辑1写入EEWE的EEMWE位必须设置，
否则EEPROM写操作为止。下面的过程应该遵循
当写入EEPROM中（步骤2和3的顺序不是必需的） ：
1.等待EEWE变为零。
2.将新的EEPROM地址写入EEAR （可选）。
3.将新的EEPROM数据写入EEDR （可选）。
4.写而写一个零EECR到EEWE逻辑一到EEMWE位。
5.在四个时钟周期内设置EEMWE后，写了一个合乎逻辑的一个EEWE 。
注意事项：
第4步和第5步之间的中断将导致写操作失败，因为
EEPROM写使能操作将超时。如果一个中断程序访问
EEPROM是打断了另一个EEPROM操作， EEAR或EEDR注册会
修改，引起EEPROM操作失败。建议有
在过去的4步骤全局中断标志位清零，以避免这些问题。
当写访问时间之后，EEWE位被清除（零）由硬件。
用户可以凭借这一点，并等待一个零写入下一个字节之前。当
EEWE置位时，CPU停止两个时钟周期之前的下一条指令是
执行。
位0 - EERE ：EEPROM读使能
EEPROM的读使能信号EERE是读选通到EEPROM中。当
正确的地址设置在EEAR寄存器， EERE位必须设置。当
EERE位被清除（零）通过硬件，要求在EEDR寄存器被发现的数据。
EEPROM读取只需要一条指令，而无需轮询EERE
位。当EERE已定， CPU会从下一条指令之前，停止4个时钟
灰被执行。
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1457G–AVR–09/03
