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K6R1004C1D
写周期*
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度（ OE高）
把脉冲宽度（ OE低）
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
写入到输出低-Z结束
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WP1
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
K6R1004C1D-10
初步
初步
CMOS SRAM
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
10
7
0
7
7
10
0
0
5
0
3
最大
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
*以上参数也保证在工业级温度范围。
时序图
读周期时序波形（ 1 ）
（地址控制
,
CS = OE = V
IL
我们= V
IH
)
t
RC
地址
t
OH
数据输出
上一页有效数据
t
AA
有效数据
读周期时序波形（ 2 ）
（WE = V
IH
)
t
RC
地址
t
AA
t
CO
t
HZ(3,4,5)
CS
t
OHZ
OE
t
OLZ
数据输出
I
CC
I
SB
高-Z
t
OE
t
DH
有效数据
t
PD
50%
50%
t
LZ(4,5)
t
PU
V
CC
当前
-6-
修订版3.0
2004年7月
