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K6R1004C1D
256K ×4位（与OE ）高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间为10ns （最大）
功耗
待机（ TTL）的
： 20毫安（最大）
（ CMOS ） ： 5毫安（最大）
操作K6R1004C1D - 10 ： 65毫安（最大）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
I / O与3.3V器件兼容
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
中心电源/接地引脚配置
标准引脚配置：
K6R1004C1C -J ： 32 SOJ -400
K6R1004C1C -K ： 32 SOJ -400 （无铅）
工作在商用和工业温度
范围内。
初步
初步
CMOS SRAM
概述
该K6R1004C1D是1,048,576位高速静态随机
存取存储器由4位组织为262,144字。该
K6R1004C1D使用4个通用输入和输出线路，并具有
输出使能引脚，经营地址比快
在读周期访问时间。该器件采用制造SAM-
SUNG先进的CMOS工艺和设计的高
高速电路技术。它特别适于在使用
高密度
快速
系统
应用程序。
该
K6R1004C1D封装在400密耳的32管脚塑料SOJ 。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 A
17
31 A
16
30 A
15
29 A
14
28 A
13
27
OE
功能框图
A
0
A
1
A
2
A
3
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
预充电电路
CS
I / O
1
VCC
26 I / O
4
行选择
VSS
SOJ
25 Vss的
24 VCC
23 I / O
3
22 A
12
21
A
11
存储阵列
512行
512x4列
I / O
2
10
WE
A
4
A
5
A
6
11
12
13
14
15
20 A
10
19
18
A
9
A
8
I / O
1
- I / O
4
数据
续。
CLK
将军
I / O电路&
列选择
A
7
N.C 16
17 N.C
引脚功能
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
引脚名称
A
0
- A
17
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
4
V
CC
V
SS
N.C
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
无连接
CS
WE
OE
-3-
修订版3.0
2004年7月
