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K6T4016V3C ， K6T4016U3C家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
=30pF+1TTL
CMOS SRAM
C
L
1
)
1.Including范围和夹具电容
AC特性
（ K6T4016V3C家庭： VCC = 3.0 3.6V ， K6T4016U3C家庭： VCC = 2.7 3.3V
商业产品：T已
A
= 0 70 ° C，工业产品：T已
A
= -40 85 ℃）下
速箱
参数表
符号
55ns
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
LB ， UB有效到数据输出
读
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
LB ， UB使低-Z输出
从地址变更输出保持
芯片禁用到高阻输出
OE禁用高Z输出
LB ， UB禁用高Z输出
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
LB ， UB有效到结束写入的
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
BA
t
LZ
t
OLZ
t
BLZ
t
OH
t
HZ
t
OHZ
t
BHZ
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
t
BW
55
-
-
-
-
10
5
5
10
0
0
0
55
45
0
45
40
0
0
25
0
5
45
最大
-
55
55
25
25
-
-
-
-
20
20
20
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
-
70ns
民
70
-
-
-
-
10
5
5
10
0
0
0
70
60
0
60
55
0
0
30
0
5
60
最大
-
70
70
35
35
-
-
-
-
25
25
25
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
-
85ns
民
85
-
-
-
-
10
5
5
10
0
0
0
85
70
0
70
60
0
0
35
0
5
70
最大
-
85
85
40
40
-
-
-
-
25
25
25
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
-
100ns
民
100
-
-
-
-
10
5
5
15
0
0
0
100
80
0
80
70
0
0
40
0
5
80
最大
-
100
100
50
50
-
-
-
-
30
30
30
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
1.工业产品= 20
A
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
测试条件
CS≥Vcc-0.2V
VCC = 3.0V ， CS≥Vcc - 0.2V
看到数据保存波形
民
2.0
-
0
5
典型值
-
0.5
-
-
最大
3.6
15
1)
-
-
单位
V
A
ms
5
修订版2.01
2001年10月
