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K6T4016V3C ， K6T4016U3C家庭
256Kx16位低功耗和低电压CMOS静态RAM
特点
工艺技术： TFT
组织： 256K X16
电源电压
K6T4016V3C系列： 3.0 3.6V
K6T4016U3C系列： 2.7 3.3V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出
封装类型： 44 TSOP2-400F / R
CMOS SRAM
概述
该K6T4016V3C和K6T4016U3C家庭被制作
三星先进的CMOS工艺技术。该fami-
在于支持各种操作的温度范围和有
系统设计的灵活性，用户的各种封装类型。该
家人也支持低数据保持电压的电池
备份操作具有低的数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列
K6T4016V3C-B
K6T4016U3C-B
K6T4016V3C-F
K6T4016U3C-F
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
工作温度
VCC范围
3.0~3.6V
2.7~3.3V
速度快（纳秒）
待机
(I
SB1
，最大值）
15A
操作
(I
CC2
，最大值）
PKG型
Commercial(0~70°C)
55
1)
/70
1)
/85/100
70
1)
/85/100
45mA
20A
44-TSOP2-400F/R
Industrial(-40~85°C)
3.0~3.6V
2.7~3.3V
引脚说明
A4
A3
A2
A1
A0
CS
I / O口
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
VSS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
VCC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
A12
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
VCC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
A12
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
A4
A3
A2
A1
A0
CS
I / O口
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
VSS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A17
A16
A15
A14
A13
功能框图
CLK GEN 。
A0
A1
A2
A3
A4
A13
A14
A15
A16
A17
预充电电路。
VCC
VSS
44-TSOP2
前锋
44-TSOP2
反向
ROW
SELECT
存储阵列
1024行
256 × 16列
I / O
1
-I / O
8
数据
CONT
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
I / O
9
-I / O
16
名字
CS
OE
WE
A
0
~A
17
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
名称功能
VCC
VSS
LB
UB
NC
动力
地
低字节（ I / O
1~8
)
WE
A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12
高字节（ I / O
9~16
)
无连接
OE
UB
LB
CS
I / O
1
-I / O
16
数据输入/输出
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
修订版2.01
2001年10月
