位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1230页 > ADUC846BCP62-5 > ADUC846BCP62-5 PDF资料 > ADUC846BCP62-5 PDF资料1第13页
初步的技术数据
ADuC846
介绍
该ADuC846是引脚兼容的升级ADuC836和
提供了核心的性能提高。该ADUC846具有单一
周期8052内核允许在运行长达12.58MIPs 。它具有所有
相同的功能， ADuC836 ，但标准的12周期8052内核
已被替换为一个12.6MIPs单周期核心。
由于ADuC846和ADuC836共享相同的功能只设置
两个芯片之间的差异记录在这里。对于全
在ADuC836文档，请查阅产品技术
可在http://www.analog.com/microconverter
MEMORY7组织架构
在ADuC846包含4个不同的存储器块，即：
- 片内闪速/电擦除程序存储器的62kBytes
- 片内闪速/电擦除数据存储器的4K字节
- 256字节的通用RAM
- 内部的XRAM 2k字节
（ 1 ）闪速/电擦除程序存储器
该ADuC846提供的闪速/电擦除程序存储器62kBytes到
运行用户代码。用户可以选择从这个内部运行代码
内存或运行代码从外部程序存储器。
如果用户施加电源或复位器件，而
EA
引脚
拉低外，该部分将来自外部执行代码
程序空间，否则，如果
EA
被拉高外部零件
默认为代码执行其内部闪存/ EE的62kBytes
程序存储器。该ADuC846不支持从侧翻
F7FFH在内部代码空间F800H外部代码空间。代替
F800H FFFFH的2048个字节将显示为NOP
指令到用户代码。
永久性嵌入式固件允许代码进行串行
通过UART下载到内部代码空间的62kBytes
串行端口，而该设备在电路内。无需外部硬件
所需。
程序存储器的56kBytes可以在被repogrammed
运行时因此代码空间可以在现场使用升级
用户定义的协议，或者它可被用作一个数据存储器。这将是
更详细的的Flash / EE存储器节讨论
数据表。
（ 2 ）闪速/电擦除数据存储器
提供给用户的Flash / EE数据存储器的4K字节，并能
可以通过一组寄存器映射到间接访问
特殊功能寄存器（ SFR ）区。进入到Flash / EE数据
内存在后面详细的Flash / EE存储器的一部分讨论
本数据表部分。
（ 3 ）通用RAM
的通用RAM被分成两个独立的存储器，
即上部和下部128字节RAM 。低128
字节的RAM可通过直接或间接寻址访问
而高128字节RAM只能通过访问
间接寻址，因为它共享相同的地址空间作为SFR
空间，只能通过直接寻址访问。
低128字节的内部数据存储器映射如图
图2.最低的32个字节被分成四个由八个
通过寄存器R7地址为R0 。在接下来的16字节（128位） ，
地点20HEX通过2FHex上面的寄存器组，形成一个
的位地址00H直接寻址位的位置块
通过7FH 。栈可以在内部被定位在任何地方
30H
2FH
银行
选
通过
在PSW BITS
11
18H
17H
10
10H
0FH
01
08H
07H
00
00H
复位值
堆栈指针
八种四家银行
注册
R0 R7
20H
1FH
位寻址
（位地址）
存储器地址空间，且堆栈深度可以扩展到
2048字节。
复位初始化堆栈指针位置的07进制。任何通话或推
预加载递增堆栈前的SP 。因此加载
堆栈从位置开始08 （十六进制） ，这也是第一个寄存器（R 0）
的寄存器组1，因此，如果一个是要使用一个以上的寄存器
银行，堆栈指针应被初始化为RAM的区域不
用于数据存储。
7FH
通用
区域
图2.低128字节的内部数据存储器
（ 4 ）内部XRAM
在ADuC846包含片上扩展数据存储器2k字节。
此存储器虽然片上通过MOVX访问
指令。内部XRAM的2k字节被映射到
外部地址空间的底部2k字节，如果CFG846.0位
设置;否则，访问外部数据存储器将发生一样
一个标准的8051 。
甚至与CFG846.0位设置访问外部XRAM将
一旦出现24位DPTR大于0007FFH 。
为FFFFFFh
为FFFFFFh
外
数据
内存
空间
(24-BIT
地址
空间）
外
数据
内存
空间
(24-BIT
地址
空间）
000800H
0007FFH
2字节
片上
XRAM
CFG845.0=1
000000H
CFG845.0=0
000000H
图3 ：内部和外部XRAM
当访问内部XRAM的P0 ， P2口引脚以及
RD和WR信号不会按照标准输出8051
REV 。 A蛋白
-13-
