ADP3159/ADP3179
表面贴装MOSFET是首选的CPU核心转换器
由于其应用的能力通过自动处理
组装设备。在TO- 263封装，提供电源
的TO- 220表面贴装封装处理。不过，
这个包还需要足够的铜面积在PCB上
帮助将热量从封装。
结温度为2盎司铜的给定区域
可以用近似计算：
T
J
=
(
θ
J
A
×
P
D
)
+
T
A
假设：
θ
JA
= 45 ° C / 0.5 W中
2
θ
JA
= 36 ℃/ 1单位为W
2
θ
JA
= 28 ℃/ 2为W
2
为1的铜区的连接到每个晶体管和一个
50 ° C的环境温度：
T
JHSF
= （ 36 ° C / W
×
1.48
W
) + 50°C = 103°C
T
JLSF
= （ 36 ° C / W
×
1.08
W
) + 50°C = 89°C
所有上述的计算结温是安全
下面指定的175 °C的最高结温
所选的MOSFET 。
C
IN
选择和输入电流的di / dt减少
CH1
100mV
CH2
M 250秒
CH2
680mV
这将产生一个输出电压偏差等于
ESR输出电容负载阵列倍电流变化。
TEK RUN ：为200kS / s的采样
TRIG'D
(21)
2
2
图3的电路的图4的瞬态响应
100
90
80
70
效率 - ％
在连续电感电流模式下，电源电流
高边MOSFET大约一个方波的占空比
比值等于V
OUT
/V
IN
和二分之一的振幅
最大输出电流。为了防止大的电压瞬变，一
低ESR的输入电容的大小为最大均方根电流
必须使用。最大均方根电容器电流由下式给出：
I
C
(
RMS
)
=
I
O
D
HSF
D
HSF
=
15
A
0.36 – 0.36
=
7.2
A
2
2
60
50
40
30
20
(22)
10
0
0
2
4
6
8
10
12
14
输出电流 - 一个
16
18
20
对于一个ZA型电容器1000
F
电容和6.3 V
电压等级， ESR为24 mΩ的和允许的最大
在100kHz下的纹波电流为2 A.在105 ℃下，至少有四个这样的
电容器必须在平行于处理所计算出的被连接
纹波电流。在50 ° C的环境，然而，更高的纹波电流
租金是可以容忍的，所以三个并联电容就足够了。
在三个并联电容器的纹波电压为：
ESR
C
(
IN
)
D
HSF
+
V
C
(
IN
)
纹波
=
I
O
×
n
C
n
C
×
C
IN
×
f
最大
24
m
36%
+
V
C
(
IN
)
纹波
=
15
A
×
=
129
mV
3
3
×
1000
F
×
195
千赫
图5.效率与电路的负载电流
图3中的
(23)
为了进一步减少系统上的脉动电压的效果
电源电压总线，并以降低输入电流的di / dt ，以
低于0.1 A / MS推荐的最大值，额外的
小电感（L > 1
H
@ 10 A）之间应插入
该转换器和电源总线。
反馈补偿的有源电压定位
要正确实现有源电压定位，低频
的昆西输出阻抗（即输出电阻）
转换器应等于该最大ESR
输出电容阵列。这可以通过具有单来实现
极滚降的克电压增益
m
误差放大器，其中
与输出的ESR零极点频率一致
电容。与单极滚降增益要求克
m
放大器的输出端子通过并联组合被终止
的电阻器和电容器。所需的电阻值可以是
由下式计算：
R
COMP
=
R
OGM
×
R
总
1
M
×
9.1
k
=
=
9.2
k
R
OGM
–
R
总
1
M
– 9.1
k
(24)
其中：
R
总
=
该ADP3159的优化补偿允许具有最合适
的峰 - 峰输出电压偏差的sible遏制。
任何实际的开关功率转换器是由固有的限制
电感器在它的输出电流转换率的值要少得多
比负载的压摆率。因此，任何突然的变化
负载电流将通过输出电容器初始流动，
n
I
×
R
SENSE
25
×
4
m
=
=
9.1
k
g
m
×
R
E
(
最大
)
2 .2
mmho
×
5
m
(25)
在等式24和25 ，
R
OGM
是的内阻
g
m
放大器，
n
I
从输出电压的分频比
在克信号
m
放大器与PWM比较器，和
g
m
为
在克导
m
放大器本身。
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REV 。一
