a
特点
最佳补偿的有源电压定位
与增益和偏移调整（ ADOPT ）的
出色的负载瞬态响应
符合VRM 8.4规格与最低
系统成本
4位数字式可编程1.3 V至2.05 V输出
N通道同步降压驱动器
两个片上线性稳压控制器
总精度0.8 ％过温
高效率电流模式操作
短路保护
电源良好输出
过压保护撬棒保护微
无需额外的外部元件处理器
应用
内核电源电压产生的：
英特尔奔腾
III
英特尔赛扬
4位可编程
同步降压控制器
ADP3159/ADP3179
功能框图
VCC
CT
ADP3159/ADP3179
UVLO
&偏差
振荡器
SET
RESET
CROWBAR
参考
GND
DAC+20%
V
LR1
LRFB1
LRDRV1
V
LR2
LRFB2
LRDRV2
g
m
COMP
REF
VID DAC
CMP
– +
CS +
FB
PWRGD
REF
PWM
DRIVE
DRVL
DRVH
DAC–20%
CSの
VID3
VID2
VID1
VID0
概述
的ADP3159和ADP3179是高效的同步输出
优化异步的降压型开关稳压控制器
将一个5 V主电源到内核供电电压
由高性能处理器必需的。这些设备使用
内置的4位DAC读取电压识别（ VID ）码
直接从处理器，其用于设置输出
电压在1.3 V和2.05 V.他们用一个电流模式，
恒定关断时间架构来驱动两个N沟道
在MOSFET的可编程开关频率，可以
为调节大小和效率进行了优化。
该ADP3159和ADP3179还采用了独特的补充
调节技术，即ADI公司的最佳位置 -
安泰科技（ ADOPT ） ，以提高负载瞬态
性能。有源电压定位结果中的直流/直流转换
变频器，以满足严格的输出电压规格
为高性能处理器，用最小数
输出电容和最小的占用空间。与电压 -
模式和标准电流模式的体系结构，有源电压
定位调节输出电压作为负载的函数
电流，从而它总是最佳地定位成用于一个系统转录
过性。该器件还提供准确而可靠的短
电路保护和可调电流限制。他们还
包括一个集成的过压保护电路功能，以保护
从破坏的情况下，微处理器核心供电
超过了20％以上，额定电压编程。
该ADP3159和ADP3179包含两个固定输出电压
这是专为驱动时代的线性稳压器控制器
外部的N沟道MOSFET 。输出是内部
固定在2.5 V和1.8 V的ADP3159 ，而ADP3179
提供了可调的输出，这是使用一个外部设置
电阻分压器。这些线性稳压器被用于产生
辅助电压（AGP ， GTL等）中最moth-需要
erboard设计，并已被设计成提供一个高
带宽的负载瞬态响应。
该ADP3159和ADP3179均规定在商用
是在20引线可为0℃的温度范围内，以70 ℃，并
TSSOP封装。
ADOPT是ADI公司的商标。
Pentium是Intel Corporation的注册商标。
赛扬是英特尔公司的注册商标。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2001
ADP3159/ADP3179–SPECIFICATIONS
参数
反馈输入
输出精度
1.3 V输出
1.65 V输出
2.05 V输出
线路调整
撬棍跳变点
撬棍复位点
撬棍响应时间
VID输入
输入低电压
输入高电压
输入电流
上拉电阻
内部上拉电压
振荡器
OFF时间
CT充电电流
误差放大器器
输出电阻
跨
输出电流
最大输出电压
输出关断阈值
-3 dB带宽
电流检测
阈值电压
输入偏置电流
响应时间
输出驱动器
输出电阻
输出转换时间
线性稳压器
反馈电流
LR1反馈电压
LR2反馈电压
驱动器输出电压
电源良好比较
欠压阈值
欠压滞后
过电压阈值
过电压复位点
输出电压低
响应时间
供应
直流电源电流
2
UVLO阈值电压
UVLO迟滞
符号
V
FB
条件
1
（ VCC = 12 V ，T
A
= 0 ℃至70℃，除非另有说明。 ）
民
典型值
最大
单位
V
OUT
V
CROWBAR
t
CROWBAR
V
白细胞介素（ VID ）
V
IH（ VID）
I
VID
R
VID
图1
图1
图1
VCC = 10 V至14 V
％的额定电压DAC
％的额定电压DAC
过电压DRVL变高
1.289
1.637
2.034
115
40
1.3
1.65
2.05
0.06
120
50
400
1.311 V
1.663 V
2.066 V
%
125
%
60
%
ns
0.6
V
V
A
k
V
s
A
A
m
mmho
A
V
mV
千赫
mV
mV
mV
A
ns
2.0
VID （ X）= 0 V
20
5.0
T
A
= 25°C ， CT = 200 pF的
T
A
= 25 ° C，V
OUT
在监管
T
A
= 25 ° C，V
OUT
= 0 V
3.5
130
25
185
30
5.4
4.0
150
35
1
2.2
625
3.0
750
500
78
45
1
0.5
50
250
5.7
4.5
170
45
I
CT
R
O（ ERR ）
g
M（ ERR ）
FB-被迫V
OUT
– 3%
I
O（ ERR ）
V
COMP （ MAX）
FB-被迫V
OUT
– 3%
V
COMP （ OFF ）
BW
ERR
COMP =打开
V
CS （ TH ）
I
CS +
, I
CSの
t
CS
FB-被迫V
OUT
– 3%
FB =
≤
0.45 V
0.8 V
≤
COMP
≤
1 V
CS + = CS- = V
OUT
CS + - （ CS - ）
＆ GT ;
87 mV至DRVH
走出低
I
L
= 50毫安
C
L
= 3000 pF的
2.05
600
2.35
900
69
35
87
54
5
5
R
O（ DRV （ X） ）
t
R
, t
F
I
LRFB （ X）
V
LRFB(1)
V
LRFB(2)
V
LRDRV （ X）
V
PWRGD （UV）的
V
PWRGD （ OV ）
V
OL （ PWRGD ）
6
80
0.3
2.5
1.0
1.8
1.0
1
2.56
1.03
1.85
1.03
ns
A
V
V
V
V
V
%
%
%
%
mV
ns
mA
V
V
ADP3159图2 ， VCC = 4.5 V至12.6 V
ADP3179图2 ， VCC = 2-4.5 V至12.6 V
ADP3159图2 ， VCC = 4.5 V至12.6 V
ADP3179图2 ， VCC = 2-4.5 V至12.6 V
VCC = 4.5 V ，V
LRFB （ X）
= 0 V
％的额定电压DAC
％的额定电压DAC
％的额定电压DAC
％的额定电压DAC
I
PWRGD （ SINK ）
= 1毫安
2.44
0.97
1.75
0.97
4.2
75
115
40
80
5
120
50
250
250
7
7
1
85
125
60
500
I
CC
V
UVLO
6.75
0.8
9
7.25
1.2
笔记
1
所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC ）保证。
2
动态电源电流较高，由于栅极电荷被传递到外部的MOSFET。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
ADP3159/ADP3179
绝对最大额定值*
引脚功能描述
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+15 V
DRVH ， DRVL ， LRDRV1 ， LRDRV2 。 。 。 。 -0.3 V至VCC + 0.3 V
所有其他的输入和输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+10 V
工作环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 0∞C到70∞C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
θ
JA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 143 ° C / W
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
*本
是一个额定值;超出这些限制的操作可能会导致设备
永久损坏。除非另有规定ED ，所有电压参考
到GND 。
针
助记符
功能
引脚配置
RU-20
NC
1
VID0
2
VID1
3
VID2
4
VID3
5
PWRGD
6
20
GND
19
NC
18
DRVH
17
DRVL
ADP3159/
ADP3179
16
VCC
顶视图
15
LRFB2
（不按比例）
14
LRDRV2
LRFB1
7
13
COMP
12
CT
11
CS +
LRDRV1
8
FB
9
CSの
10
NC =无连接
1 ， NC 19
无连接。
2-5 VID3 ， VID2 ，电压识别DAC输入。这些
VID1 ， VID0引脚拉至内部基准，
提供了一个逻辑，如果不开放。该
DAC输出的程序FB的调节
从1.3 V至2.05 V.电压
6
PWRGD
开漏输出信号时，
输出电压是在适当的操作
范围内。
7，15 LRFB1 ，
反馈连接的线性
LRFB2
稳压器控制器。
8 ， 14 LRDRV1 ，
栅极驱动为各自的线性
LRDRV2
调节器的N沟道MOSFET 。
9
FB
反馈输入。误差放大器连接器输入
遥感输出电压。
10
CSの
电流检测负节点。负
输入的电流比较。
11
CS +
电流检测正节点。积极
输入的电流比较。该
输出电流检测为在此电压
引脚相对于CS- 。
12
CT
外部电容器连接从CT到
地设置器件的关断时间。
13
COMP
误差放大器的输出ER和补偿
点。在此输出节目的电压
间的输出电流控制电平
CS +和CS- 。
16
VCC
电源电压的设备。
17
DRVL
低边MOSFET驱动器。门驱动器
同步整流器的N沟道
MOSFET。在DRVL波动的电压
从GND到VCC 。
18
DRVH
高边MOSFET驱动器。门驱动器
降压开关的N沟道MOSFET 。
在DRVH的电压摆幅从GND
至VCC。
20
GND
接地参考。 GND应该有一个
低阻抗路径兴田的源
同步MOSFET。
订购指南
模型
ADP3159JRU
ADP3179JRU
温度
范围
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
LDO
电压
2.5 V, 1.8 V
可调整的
包
描述
薄型缩小外形
薄型缩小外形
包
选项
RU-20
RU-20
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
的ADP3159和ADP3179的功能专用ESD保护电路，造成永久性损坏
可能会发生在经受高能量静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
REV 。一
–3–
ADP3159 / ADP3179 - 典型性能特征
TEK RUN
60
TRIG'D
50
电源电流 - 毫安
40
V
CC
30
1
20
10
2
V
CORE
0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
振荡器频率 - 千赫
CH1 5.00V B
W
CH2
500mV的BW M 10.0ms一个CH1
0.00000 s
5.90V
TPC 1.电源电流与工作频率使用
图3中的MOSFET的
TPC 4.上电启动波形
TEK RUN
TRIG'D
25
T
A
= 25 C
V
OUT
= 1.65V
20
DRVH
零件数量 - ％
15
1
10
DRVL
5
CH1 5.00V B
W
CH2
5.00V BW M 1.00秒的CH1
–2.6500 s
5.90V
0
–0.5
0
输出精度 - ％的名义
0.5
TPC 2.门开关波形用的MOSFET
科幻gure 3
TPC 5.输出精度分布
TEK RUN
TRIG'D
DRVH
DRVL
CH1 2.00V BW
CH2
2.00V BW M 1.00ns一个CH1
150.000 s
5.88V
TPC 3.驱动波形转换使用的MOSFET
科幻gure 3
–4–
REV 。一
ADP3159/ADP3179
ADP3159/
ADP3179
1
2
3
NC
VID0
VID1
VID2
VID3
PWRGD
LRFB1
LRDRV1
FB
CSの
GND
20
NC
19
DRVH
18
DRVL
17
VCC
16
LRFB2
15
LRDRV2
14
COMP
13
CT
12
CS +
11
100
100nF
AD820
+
1 F
12V
100nF
4位代码
4
5
6
7
8
V
FB
9
10
ADI公司的最佳定位技术（ ADOPT ）
调节输出电压作为负载电流的函数，以便
它总是最佳地定位成用于负载瞬变。标
准（被动）电压定位，有时推荐
与其他架构使用，具有动态性能较差
这下严格重复转录使得它无效
英特尔VRM文件中规定过性条件。因此，
这样的技术不容许的最小可能数
要使用的输出电容。 ADOPT ，如在ADP3159使用
和ADP3179 ，提供了带宽为瞬态响应该
仅由寄生输出电感的限制。这就产生opti-
用最小数量的发作的负载瞬态响应
输出电容器。
逐周期操作
NC =无连接
1.2V
图1.闭环输出电压精度
测试电路
ADP3159/
ADP3179
1
NC
2
VID0
3
VID1
4
VID2
5
VID3
6
PWRGD
GND
20
NC
19
DRVH
18
DRVL
17
VCC
16
LRFB2
15
LRDRV2
14
COMP
13
CT
12
CS +
11
10nF
V
LR2
+
1 F
VCC
100nF
V
LR1
7
LRFB1
8
LRDRV1
10nF
9
FB
10
CSの
NC =无连接
图2.线性稳压器的输出电压精度
测试电路
工作原理
在正常操作期间（当输出电压被调节） ，
电压误差放大器和电流比较器是
主控制元件。在高侧的导通时间
MOSFET ，电流比较器监视之间的电压
在CS +和CS-引脚。当这两者之间的电压电平
销达到阈值水平，则DRVH输出被切换到
地面上，从而关闭所述高侧MOSFET 。时机
电容CT然后在由关断时间所确定的速率充电
控制器。而定时电容充电时， DRVL
输出变高，导通的低侧MOSFET 。当
在定时电容器的电压电平已装入到上部
阈值电压电平，一个比较器复位锁存器。输出
闩锁力的低侧驱动器输出变为低电平，并且
高侧驱动器输出变高。作为其结果，低压侧开关
截止，高侧开关导通。顺序
然后重复。随着负载电流的增加，输出电压
年龄开始减小。这会导致增加的输出
的电压误差放大器，其中，反过来，导致增加
在电流比较器的阈值，从而跟踪负载电流。对
防止外部MOSFET的交叉传导，反馈
引入到感测的驱动器输出管脚的状态。前
低侧驱动器输出可以变为高，高侧驱动器输出
必须是低的。同样地，高侧驱动器输出是无法
去高而低侧驱动器输出为高。
电源良好
该ADP3159和ADP3179采用电流模式，恒
关断时间控制技术来切换的一对外部N沟道的
MOSFET的同步降压拓扑结构。恒定关断时间
操作提供了几种性能优点，包括无
斜坡补偿时需要稳定的操作。独特
恒定关断时间控制技术的特征在于，由于
在关断时间是固定的，该转换器的开关频率是
函数的输入电压与输出电压之比的。固定
关断时间由外部电容的值编程
连接到CT引脚。的导通时间而变化以这样的方式
按如下所述经调节的输出电压保持
在逐周期的操作。导通时间下不变化
定输入电源的条件下，它仅略有不同的功能
化负载。这意味着，在开关频率保持
相当恒定在一个标准的计算机应用程序。
有源电压定位
该ADP3159具有内部监控器，检测输出
电压和驱动该装置的PWRGD引脚。该引脚为
开路漏极输出的高电平（当连接到一个上拉
电阻器），表示输出电压已内
±20%
超过500毫秒的期待值的调节范围。该
PWRGD引脚变为低电平，如果输出的调节外
乐队超过500毫秒。
输出短路器
的输出电压进行检测的CS-引脚。电压误差
放大器（G
m
） ，放大的输出之间的差
电压和可编程参考电压。参考
电压是由一个跨编程之间的1.3 V和2.05 V
纳尔4位的DAC ，在所述电压识别读取代码
（ VID ）引脚（参考表一的输出电压与VID针码
信息） 。所谓的独特的辅助调节技术
REV 。一
使用N沟道MOSFET作为同步的一个附加特征
异步的开关是撬棍的输出具有相同的能力
MOSFET。如果输出电压高于目标的大20 ％
值，则控制器IC将打开下MOSFET管，
这将电流限制电源供电，或吹了导火索，
拉断输出电压，从而节省了微处理器
从破坏。撬棍函数释放约
50％额定输出电压的。例如，如果输出
被编程为1.5伏，而上拉至1.85伏或以上，则
撬棍将打开下MOSFET管。如果在这种情况下，输出
被下拉到低于0.75V，短路器将释放，
使输出电压恢复到1.5伏，如果故障
条件已经消除。
–5–
QQ：2881677436 复制
