KM44C1000D ， KM44V1000D
电容
(T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V或3.3V ， F = 1MHz的）
参数
输入电容[ A0 A9 ]
输入电容[ RAS，CAS ，W ， OE ]
输出电容[ DQ0 - DQ3 ]
符号
C
IN1
C
IN2
C
DQ
民
-
-
-
CMOS DRAM
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
AC特性
（ 0 ° C≤T≤70 ° C，见注1,2 ）
测试条件（ 5V器件） ： V
CC
= 5.0V ± 10 ％ ， VIH /德维尔= 2.4 / 0.8V ，的Voh /卷= 2.4 / 0.4V
测试条件（ 3.3V器件） ： V
CC
= 3.3V ± 0.3V ， VIH /德维尔= 2.2 / 0.7V ，的Voh /卷= 2.0 / 0.8V
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从列地址访问时间
CAS到输出中低Z
输出缓冲关断延迟
转换时间（上升和下降）
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址到RAS交货时间
读命令设置时间
阅读参考CAS命令保持时间
阅读参考RAS命令保持时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
注）* 1 ： 5V只
符号
民
-5
*1
最大
民
110
152
50
15
25
0
0
3
30
50
15
50
15
20
15
5
0
10
0
10
25
0
0
0
10
10
15
13
10K
35
25
10K
12
50
0
0
3
40
60
15
60
15
20
15
5
0
10
0
10
30
0
0
0
10
10
15
15
10K
45
30
10K
12
50
60
15
30
0
0
3
50
70
20
70
20
20
15
5
0
10
0
15
35
0
0
0
15
15
15
15
10K
50
35
10K
17
50
-6
最大
民
130
177
70
20
35
7
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
4
10
3,4,10
3,4,5
3,10
3
6
2
单位
笔记
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
关闭
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
90
132
