KM44C1000D ， KM44V1000D
CMOS DRAM
1M X 4Bit的CMOS动态RAM具有快速页面模式
描述
这是一个家庭的1,048,576 X 4位快速页面模式的CMOS DRAM的。快速页模式提供了存储单元的高速随机存取
在同一行中。电源电压（+ 5V或+ 3.3V ） ，访问时间（ -5，-6或-7 ），功耗（普通或低功率） ，并
封装类型（ SOJ或TSOP -II ）是这个家族的可选功能。所有这些家庭都有CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新
隐藏刷新功能。此外，自刷新操作是在3.3V的低功率版本。
这1Mx4快速页模式DRAM系列采用了三星先进的CMOS工艺实现高带宽宽无中生有，低功耗
耗和高可靠性。它可以被用来作为主存储器，用于主帧和微型计算机，个人计算机和高性
formance微处理器系统。
特点
零件识别
- KM44C1000D / D- L（ 5V ， 1K参考。 ）
- KM44V1000D / D -L （ 3.3V ， 1K参考）
快速页模式操作
CAS先于RAS的刷新功能
RAS-只和隐藏刷新功能
自刷新功能（ 3.3V ， L-版本只）
快速并行测试模式功能
TTL （ 5V ） / LVTTL （ 3.3V ）兼容的输入和输出
早期写或输出使能控制的写
有源功率耗散
单位：毫瓦
速度
-5
-6
-7
3.3V
-
220
200
5V
470
415
360
?? JEDEC标准引脚
可在26 （ 20 ） -pin SOJ 300MIL和TSOP （ II ）
300MIL包
单+ 5V ± 10 ％电源（ 5V产品）
单+ 3.3V ± 0.3V电源（ 3.3V产品）
功能框图
刷新周期
部分
号
KM44C1000D
KM44V1000D
刷新
周期
1K
刷新周期
正常
16ms
L-版本
128ms
刷新计时器
刷新控制
行解码器
读出放大器& I / O
DATA IN
卜FF器
RAS
CAS
W
控制
钟
VBB发生器
VCC
VSS
性能范围
速度
-5
-6
-7
刷新计数器
t
RAC
50ns
60ns
70ns
t
CAC
15ns
15ns
20ns
t
RC
90ns
110n
130n
t
PC
35ns
40ns
45ns
备注
只有5V
5V/3.3V
5V/3.3V
A0~A9
上校地址缓冲器
行地址缓冲器
存储阵列
1,048,576 x4
细胞
DQ0
to
DQ3
数据输出
卜FF器
列解码器
OE
三星电子有限公司
保留的权利
改变产品规格，恕不另行通知。
KM44C1000D ， KM44V1000D
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
3.3V
V
IN，
V
OUT
V
CC
TSTG
P
D
I
OS
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
-55到+150
600
50
等级
5V
CMOS DRAM
单位
-1到7.0
-1到7.0
-55到+150
600
50
V
V
°C
mW
mA
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能出现*永久性设备损坏。功能操作应仅限于
条件详见本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
（参考电压到Vss ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
民
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
3.0
0
2.0
-0.3
*2
3.3V
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+0.3
*1
0.8
民
4.5
0
2.4
-0.1
*2
5V
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+1.0
*1
0.8
V
V
V
V
单位
*1 : V
CC
+ 1.3V /为15ns （ 3.3V ） ，V
CC
+ 2.0V /为20ns （ 5V ） ，脉冲宽度测量V
CC
* 2 ： - 1.3V /为15ns （ 3.3V ） ， - 2.0V /为20ns （ 5V ） ，脉冲宽度测量V
SS
DC和工作特性
（推荐工作条件，除非另有说明。 ）
参数
输入漏电流（任何输入0≤V
IN
≤V
CC
+0.3V,
其他所有输入引脚不能被测= 0伏）
3.3V
输出漏电流
（数据输出被禁用， 0V≤V
OUT
≤V
CC
)
输出高电压电平（I
OH
=-2mA)
输出低电压电平（I
OL
=2mA)
输入漏电流（任何输入0≤V
IN
≤V
CC
+0.5V,
其他所有输入引脚不能被测= 0伏）
5V
输出漏电流
（数据输出被禁用， 0V≤V
OUT
≤V
CC
)
输出高电压电平（I
OH
=-5mA)
输出低电压电平（I
OL
=4.2mA)
符号
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
民
-5
-5
2.4
-
-5
-5
2.4
-
最大
5
5
-
0.4
5
5
-
0.4
单位
uA
uA
V
V
uA
uA
V
V
KM44C1000D ， KM44V1000D
最大
KM44V1000D
I
CC1
I
CC2
I
CC3
不在乎
不在乎
不在乎
-5
-6
-7
不在乎
-5
-6
-7
-5
-6
-7
不在乎
-5
-6
-7
不在乎
不在乎
-
60
55
1
-
60
55
-
45
40
0.5
100
-
60
55
200
150
CMOS DRAM
DC和工作特性
（除非另有说明推荐的操作条件）。
符号
动力
速度
单位
KM44C1000D
85
75
65
2
85
75
65
65
55
45
1
200
85
75
65
300
-
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
mA
mA
mA
uA
uA
I
CC4
不在乎
正常
L
不在乎
L
L
I
CC5
I
CC6
I
CC7
I
CCS
I
CC1
*：工作电流（ RAS和CAS @骑自行车
t
RC
=分钟）
I
CC2
：待机电流（ RAS = CAS = W = V
IH
)
I
CC3
*： RAS只刷新电流（ CAS = V
IH
， RAS ，地址自行车@
t
RC
=分钟）
I
CC4
*：快速页模式电流（ RAS = V
IL
中国科学院，地址自行车@
t
PC
=分钟）
I
CC5
：待机电流（ RAS = CAS = W = V
CC
-0.2V)
I
CC6
*： CAS先于RAS的刷新电流（ RAS和CAS @骑自行车
t
RC
=分钟）
I
CC7
：电池后备电流，平均电源电流，电池备份模式
输入高电压（V
IH
)=V
CC
-0.2V ，低输入电压（V
IL
） = 0.2V ， CAS = 0.2V ，
DQ =不关心，T
RC
= 125us （L -版） ，T
RAS
=T
RAS
min~300ns
I
CCS
：自刷新电流
RAS CAS = = V
IL
， W = OE = A0 A9 = V
CC-
0.2V或0.2V
DQ0 DQ3 = V
CC-
0.2V ， 0.2V或OPEN
*注意：
I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
, I
CC3
I
CC6
我
CC7,
地址可以被改变最多一次，而RAS = V
IL
。在
I
CC4
，地址可一旦人们快页模式周期时间内改变最大，
t
PC
.
KM44C1000D ， KM44V1000D
电容
(T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V或3.3V ， F = 1MHz的）
参数
输入电容[ A0 A9 ]
输入电容[ RAS，CAS ，W ， OE ]
输出电容[ DQ0 - DQ3 ]
符号
C
IN1
C
IN2
C
DQ
民
-
-
-
CMOS DRAM
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
AC特性
（ 0 ° C≤T≤70 ° C，见注1,2 ）
测试条件（ 5V器件） ： V
CC
= 5.0V ± 10 ％ ， VIH /德维尔= 2.4 / 0.8V ，的Voh /卷= 2.4 / 0.4V
测试条件（ 3.3V器件） ： V
CC
= 3.3V ± 0.3V ， VIH /德维尔= 2.2 / 0.7V ，的Voh /卷= 2.0 / 0.8V
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从列地址访问时间
CAS到输出中低Z
输出缓冲关断延迟
转换时间（上升和下降）
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址到RAS交货时间
读命令设置时间
阅读参考CAS命令保持时间
阅读参考RAS命令保持时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
注）* 1 ： 5V只
符号
民
-5
*1
最大
民
110
152
50
15
25
0
0
3
30
50
15
50
15
20
15
5
0
10
0
10
25
0
0
0
10
10
15
13
10K
35
25
10K
12
50
0
0
3
40
60
15
60
15
20
15
5
0
10
0
10
30
0
0
0
10
10
15
15
10K
45
30
10K
12
50
60
15
30
0
0
3
50
70
20
70
20
20
15
5
0
10
0
15
35
0
0
0
15
15
15
15
10K
50
35
10K
17
50
-6
最大
民
130
177
70
20
35
7
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
4
10
3,4,10
3,4,5
3,10
3
6
2
单位
笔记
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
关闭
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
90
132
QQ：2881677436 复制
