KM416V4000C ， KM416V4100C
笔记
CMOS DRAM
200 1.初始暂停
§
要求后跟任何8 ROR或CBR循环电前后正确的设备操作
实现的。
2. V
IH
（MIN）和V
IL
（MAX），是参考电平，用于测量输入信号的定时。转换时间的测量
V
IH
（MIN）和V
IL
（MAX），并且被假定为5ns的所有输入。
3.测量用相当于1个TTL负载和100pF的负载。
内4.操作
t
RCD
（最大值）限制确保了
t
RAC
（最大值）可以得到满足。
t
RCD
（MAX），被指定为唯一的一个参考点。
If
t
RCD
大于指定的
t
RCD
（最大值）的限度，则存取时间完全由控制
t
CAC
.
5.假设条件
t
RCD
≥
t
RCD
（最大值）。
6.
t
关闭
（分钟）和
t
OEZ
（MAX）定义为其中输出达到开路状态的时间，不被引用的V
oh
或V
ol
.
7.
t
WCS
,
t
RWD
,
t
CWD
和
t
AWD
都是非限制性的操作参数。它们包含在数据表中的字符电
开创性意义而已。如果
t
WCS
≥
t
WCS
（分钟） ，循环是一个早期的写周期的数据输出将保持为高阻抗
时间周期。如果
t
CWD
≥
t
CWD
（ MIN）
t
RWD
≥
t
RWD
（分钟）和
t
AWD
≥
t
AWD
（MIN） ，则该周期是一个读 - 修改 - 写周期
和输出的数据将包含从所选择的地址读取数据。如果上述两个条件被满足时，该
的数据输出状态是不确定的。
8.无论是
t
RCH
or
t
RRH
必须满足一个读周期。
9.这些参数被引用到CAS前缘在早期的写周期，并在读 - 修改 - 将W下降沿
写周期。
内10.操作
t
拉德
（最大值）限制确保了
t
RAC
（最大值）可以得到满足。
t
拉德
（最大）被指定为唯一的一个参考点。如果
t
拉德
大于指定的
t
拉德
（最大值）的限度，则存取时间由控
t
AA
.
11.这些规范被应用在测试模式下。
12.在测试模式下读周期中，该值
t
RAC
,
t
AA
,
t
CAC
通过2ns的延迟为5ns为指定的值。这些参数
应在测试模式下的周期中加入上述价值为指定的值在此数据表中指定。
KM416V40 （ 1 ） 00C真值表
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
LCAS
X
H
L
H
L
L
H
L
L
UCAS
X
H
H
L
L
H
L
L
L
W
X
X
H
H
H
L
L
L
H
OE
X
X
L
L
L
H
H
H
H
DQ0 - DQ7
高阻
高阻
DQ -OUT
高阻
DQ -OUT
DQ -IN
-
DQ -IN
高阻
DQ8-DQ15
高阻
高阻
高阻
DQ -OUT
DQ -OUT
-
DQ -IN
DQ -IN
高阻
状态
待机
刷新
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-
