KM416V4000C ， KM416V4100C
AC特性
（续）
参数
刷新周期（普通）
刷新周期（L -版本）
写命令设置时间
CAS为W延迟时间
RAS为W延迟时间
列地址为W延迟时间
CAS预充电软件延时时间
CAS建立时间（ CAS -before - RAS的刷新）
CAS保持时间（ CAS -before - RAS的刷新）
RAS到CAS预充电时间
从CAS预充电时间访问
快速页模式周期时间
快速页面模式读取 - 修改 - 写入周期时间
CAS预充电时间（快速页面周期）
RAS脉冲宽度（快速页面周期）
RAS保持时间从CAS预充电
OE访问时间
OE数据延迟
输出缓冲器关闭从OE延迟时间
OE命令保持时间
写命令设置时间（测试模式）
写命令保持时间（测试模式）
W至RAS预充电时间（C -B -R刷新）
W至RAS保持时间（C -B -R刷新）
RAS脉冲宽度（C -B -R自刷新）
RAS预充电时间（C -B -R自刷新）
CAS保持时间（C -B -R自刷新）
符号
民
-45
最大
64
128
0
32
67
43
48
5
10
5
26
31
70
9
45
28
12
12
0
12
10
15
10
10
100
80
-50
13
13
0
13
10
15
10
10
100
90
-50
13
200K
35
76
10
50
30
13
13
0
15
10
15
10
10
100
110
-50
200
0
36
73
48
53
5
10
5
30
40
85
10
60
35
民
-5
最大
64
128
0
38
83
53
60
5
10
5
民
-6
CMOS DRAM
单位
最大
64
128
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
35
ns
ns
ns
ns
200
ns
ns
15
13
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
us
ns
ns
记
t
REF
t
REF
t
WCS
t
CWD
t
RWD
t
AWD
t
CPWD
t
企业社会责任
t
CHR
t
RPC
t
注册会计师
t
PC
t
PRWC
t
CP
t
RASP
t
RHCP
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
t
WTS
t
WTH
t
WRP
t
WRH
t
RASS
t
RPS
t
CHS
7
7,15
7
7
17
18
3
14
3
6
11
11
20,21,22
20,21,22
20,21,22
