KM416C1004C ， KM416C1204C
KM416V1004C ， KM416V1204C
AC特性
（续）
参数
数据建立时间
数据保持时间
刷新周期（ 1K ，正常）
刷新周期（ 4K ，正常）
刷新周期（L -版本）
写命令设置时间
CAS为W延迟时间
RAS为W延迟时间
列地址的软件延时时间
CAS预充电至W延迟时间
CAS建立时间（ CAS -before - RAS的刷新）
CAS保持时间（ CAS -before - RAS的刷新）
RAS到CAS预充电时间
从CAS预充电时间访问
超页模式周期时间
超页读 - 修改 - 写周期时间
CAS预充电时间（超页面周期）
RAS的脉冲宽度（超页面周期）
RAS保持时间从CAS预充电
OE访问时间
OE数据延迟
输出缓冲器关闭从OE延迟时间
OE命令保持时间
输出数据保持时间
输出缓冲延时关闭从RAS
输出缓冲延时关闭与W
W与数据延迟
OE到CAS保持时间
CAS保持时间OE
OE预充电时间
W脉冲宽度（超页面周期）
RAS脉冲宽度（C -B -R自刷新）
RAS预充电时间（C -B -R自刷新）
CAS保持时间（C -B -R自刷新）
符号
民
-45
最大
民
0
8
16
64
128
0
28
59
37
39
5
10
5
25
18
39
7
45
27
13
10
3
10
4
3
3
15
5
5
5
5
100
79
-50
13
13
13
13
3
13
5
3
3
15
5
5
5
5
100
90
-50
13
13
13
200K
20
47
8
50
30
13
15
3
15
5
3
3
15
5
5
5
5
100
110
-50
200K
0
32
67
42
47
5
10
5
28
25
56
10
60
35
16
64
128
0
36
79
49
54
5
10
5
-5
最大
民
0
10
-6
CMOS DRAM
单位
最大
ns
ns
16
64
128
ms
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
35
ns
ns
ns
ns
200K
ns
ns
15
ns
ns
15
ns
ns
ns
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
us
ns
ns
笔记
9,17
9,17
t
DS
t
DH
t
REF
t
REF
t
REF
t
WCS
t
CWD
t
RWD
t
AWD
t
CPWD
t
企业社会责任
t
CHR
t
RPC
t
注册会计师
t
HPC
t
HPRWC
t
CP
t
RASP
t
RHCP
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
t
DOH
t
苏亚雷斯
t
WEZ
t
世界环境日
t
OCH
t
CHO
t
OEP
t
WPE
t
RASS
t
RPS
t
CHS
0
7
7
7,13
7
7
7
15
16
3
18
18
12
3
6
6,19
6
20,21,22
20,21,22
20,21,22
