KM416C1004C ， KM416C1204C
KM416V1004C ， KM416V1204C
DC和工作特性
（续）
符号
动力
速度
-45
-5
-6
不在乎
-45
-5
-6
-45
-5
-6
不在乎
-45
-5
-6
不在乎
不在乎
最大
KM416V1004C
100
90
80
1
1
100
90
80
110
100
90
0.5
200
100
90
80
300
150
KM416V1204C
150
140
130
1
1
150
140
130
110
100
90
0.5
200
150
140
130
200
150
KM416C1004C
100
90
80
2
1
100
90
80
110
100
90
1
200
110
90
80
350
200
CMOS DRAM
KM416C1204C
150
140
130
2
1
150
140
130
110
100
90
1
200
150
140
130
250
200
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
mA
mA
mA
uA
uA
I
CC1
不在乎
正常
L
不在乎
I
CC2
I
CC3
I
CC4
不在乎
正常
L
不在乎
L
L
I
CC5
I
CC6
I
CC7
I
CCS
I
CC1
*：工作电流（ RAS和UCAS ， LCAS ，地址单车@t
RC
=分钟）
I
CC2
：待机电流（ RAS = = UCAS LCAS = W = V
IH
)
I
CC3
*： RAS只刷新电流（ UCAS LCAS = = V
IH
， RAS ，地址单车@t
RC
=分钟）
I
CC4
* ：超页模式电流（ RAS = V
IL
， UCAS或LCAS ，地址单车@t
HPC
=分钟）
I
CC5
：待机电流（ RAS = = UCAS LCAS = W = V
CC
-0.2V)
I
CC6
*： CAS先于RAS的刷新电流（ RAS ， UCAS或LCAS骑自行车@t
RC
=分钟）
I
CC7
：电池后备电流，平均电源电流，电池备份模式
输入高电压（V
IH
)=V
CC
-0.2V ，低输入电压（V
IL
） = 0.2V ， UCAS ， LCAS = 0.2V ，
DQ =不关心，T
RC
= 31.25us （ 4K / L -VER ） ， 125us （ 1K / L -VER ）
T
RAS
=T
RAS
min~300ns
I
CCS
：自刷新电流
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
， W = OE = A0 A11 = V
CC
-0.2V和0.2V ，
DQ0 DQ15 = V
CC
-0.2V ， 0.2V或打开
*注意：
I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
, I
CC3
我
CC6,
地址可以被改变最多一次，而RAS = V
IL
。在我
CC4
,
地址可以一次一台Hyper页面模式的周期时间内变化最大，T
HPC
.
