半导体
技术参数
切换应用程序。
音频静噪应用。
特点
高发射极 - 基极电压： V
EBO
=25V(Min)
高逆H
FE
：逆H
FE
= 150 （典型值）（V
CE
= -2V ，我
C
=-4mA)
低导通电阻，R
on
= 1 （典型值）。 （我
B
=5mA)
凭借内置的偏置电阻器。
简化电路设计。
减少零件和制造工艺的数量。
C
A
F
KRC681T~KRC686T
外延平面NPN晶体管
E
B
1
5
DIM毫米
_
A
2.9 + 0.2
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
1.6+0.2/-0.1
_
0.70 + 0.05
_
0.4 + 0.1
2.8+0.2/-0.3
_
1.9 + 0.2
0.95
_
0.16 + 0.05
0.00-0.10
0.25+0.25/-0.15
0.60
0.55
G
2
3
4
G
J
C
R1
5
4
1. Q
1
IN（ BASE ）
2. Q
1
, Q
2
COMMON （发射器）
3. Q
2
IN（ BASE ）
4. Q
2
OUT （集电极）
5. Q
1
OUT （集电极）
B
Q1
Q2
E
1
2
3
最大额定值（ TA = 25
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
英镑
0.8
)
等级
50
20
25
300
0.9
150
-55 150
单位
V
V
V
mA
W
特征
*封装安装在陶瓷基板（600
MARK SPEC
TYPE
KRC681T
KRC682T
KRC683T
KRC684T
KRC685T
KRC686T
h
FE
分类
B
MQB
MRB
最高位
MTB
MUB
MVB
1
2
3
记号
h
FE
秩
型号名称
5
4
2002. 12. 5
版本号： 3
I
等效电路
等效电路（顶视图）
L
J
H
TSV
LOT号
D
1/2
