【半导体技术参数切换应用程序。音频静噪应用。特点高发射极 - 基极电压： VEBO=25V(Min)高】,IC型号KRC681T,KRC681T PDF资料,KRC681T经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

技术参数

切换应用程序。

音频静噪应用。

特点

高发射极 - 基极电压： V

EBO

=25V(Min)

高逆H

FE

：逆H

FE

= 150 （典型值）（V

CE

= -2V ，我

C

=-4mA)

低导通电阻，R

on

= 1 （典型值）。（我

B

=5mA)

凭借内置的偏置电阻器。

简化电路设计。

减少零件和制造工艺的数量。

C

A

F

KRC681T~KRC686T

外延平面NPN晶体管

E

B

1

5

DIM毫米

_

A

2.9 + 0.2

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

1.6+0.2/-0.1

_

0.70 + 0.05

_

0.4 + 0.1

2.8+0.2/-0.3

_

1.9 + 0.2

0.95

_

0.16 + 0.05

0.00-0.10

0.25+0.25/-0.15

0.60

0.55

G

2

3

4

G

J

C

R1

5

4

1. Q

1

IN（ BASE ）

2. Q

1

, Q

2

COMMON （发射器）

3. Q

2

IN（ BASE ）

4. Q

2

OUT （集电极）

5. Q

1

OUT （集电极）

B

Q1

Q2

E

1

2

3

最大额定值（ TA = 25

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

*

T

j

T

英镑

0.8

)

等级

50

20

25

300

0.9

150

-55 150

单位

V

V

V

mA

W

特征

*封装安装在陶瓷基板（600

MARK SPEC

TYPE

KRC681T

KRC682T

KRC683T

KRC684T

KRC685T

KRC686T

h

FE

分类

B

MQB

MRB

最高位

MTB

MUB

MVB

1

2

3

记号

h

FE

秩

型号名称

5

4

2002. 12. 5

版本号： 3

I

等效电路

等效电路（顶视图）

L

J

H

TSV

LOT号

D

1/2

KRC681T~KRC686T

电气特性（ TA = 25 ）

特征

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流增益

KRC681T

KRC682T

输入电阻

KRC683T

KRC684T

KRC685T

KRC686T

跃迁频率

集电极输出电容

*只晶体管的特性。

注）H

FE

分类

B:350 1200

f

T *

C

ob

V

CE

= 6V ，我

C

=4mA,

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

R

1

符号

BV

首席执行官

BV

CBO

BV

EBO

I

CBO

V

CE （ SAT ）

h

FE

测试条件

I

C

=1mA

I

C

=50 A

I

E

=50 A

V

CB

= 50V ，我

E

=0

I

C

= 30mA时我

B

=3mA

V

CE

= 2V ，我

C

=4mA

分钟。

20

50

25

-

-

350

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

-

-

-

2.2

4.7

5.6

6.8

10

22

30

4.8

马克斯。

-

-

-

0.1

0.1

1200

-

-

-

-

-

-

-

-

兆赫

pF

k

单位

V

V

V

A

V

2002. 12. 5

版本号： 3

2/2

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