初步的技术数据
非易失性存储器数字电位器
R
WA
（霉素）= [ （2- -Dx ）/ 2] * R
AB
+ R
W
同样， EQN 。 3变为：
R
WA
（霉素）= [（ 1024霉素） / 1024] * R
AB
+ 50
等式。 4
1。·克IC
P为s
IN P ü牛逼S
N
N
AD5235
ESD保护电路
V
DD
等式。 3
例如，当V
A
= 0V和B端绑在W端
下面的输出电阻值将由于以下设置
RDAC锁存器代码（适用于R
AB
= 10KΩ电位器） ：
Dx
（ DEC）
1023
512
1
0
R
WA
()
74
12500
25000
25050
输出状态
GND
图5A 。相当于数字输入ESD保护
满量程
中等规模
1 LSB
零刻度
V
DD
utpu TS
O1 O2 &
P为s
为R的± 1 ％典型分布
AB
从通道到通道发生
在同一个包中。另一方面，设备到设备
匹配处理很多依赖，使得最大为± 30％
变化是可能的。 R中的变化
AB
用温度为50
PPM / ° C的温度系数。
编程电位分压器
电压输出操作
数字电位容易产生输出电压
正比于施加到给定端子的输入电压。为
例如连接A-终端+ 5V和B端子接地
产生的输出电压在其可以是任何值，抽头
开始在零伏和至多1个LSB高于+ 5V以下。每个LSB的
电压等于横过终端AB施加的电压除以
由2
N
电位分压器的分辨率。一般
方程相对于限定所述输出电压以接地为任何
给定的输入电压施加到端子AB是：
V
W
（ DX） = DX / 2
N
* V
AB
+ V
B
等式。五
由于N = 10 ，
V
W
（ DX） = （DX / 1024 ） * V
AB
+ V
B
等式。 6
GND
图5B 。相当于数字输出ESD保护
V
DD
ü TPUTS
SDO
P在
GND
图5C 。等效SDO输出ESD保护电路
图5示出了等效的ESD保护电路，用于数字
销。图6示出的等效模拟末端保护
电路的可变电阻器。
P 2 O T E N t个IO M E T E
T E R M IN A L S
A，B ，W
P为s
数字电位器的分频模式下产生的操作
更精确的操作温度过高。这里，输出电压
取决于内部电阻，而不是比例
绝对值。因此，漂移降低到15ppm的/ ℃。
V
SS
图6.等效VR-终端ESD保护
REV珠三角2000年11月6日
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