初步的技术数据
a
特点
双通道， 1024位分辨率
25K ， 250K欧姆的终端电阻用50ppm / ℃的温度系数
非易失性存储器预置
SPI兼容的串行数据输入与回读功能
递增/递减命令，按钮命令
3至+ 5V单电源工作
± 2.5V双电源供电
30字节的通用非易失性存储器
应用
替代机械电位器
仪器仪表：增益，偏移调整
可编程电压至电流转换
可编程滤波器，延迟，时间常数
线阻抗匹配
电源调整
DIP开关设置
非易失性内存，双通道1024
位置数字电位计
AD5235
功能方框图
RDAC1
CS
CLK
SDI
SDO
IAL辑
在P ü吨
- [R E G IS T E
地址
解码
V DD
A1
W1
B1
RDAC1
注册
EEMEM1
RDAC2
PR
PWR ON
预设
RDAC2
注册
A2
W2
B2
WP
RDY
EEMEM
控制
EEMEM2
V SS
摹ND
备用
EEMEM
摹ND
概述
的AD5235提供一种双通道，数字控制可变
电阻器（ VR ） 1024职位决议。这些设备
执行相同的电子调整功能作为一个电位器或
可变电阻器。在AD5235的通过微型多功能编程
控制器允许操作和调整的多种模式。
在直接编程模式的RDAC的一个预定的设定
寄存器可以直接从微控制器加载。另一个关键
经营模式使RDAC寄存器与被刷新
设置预先存储在EEMEM寄存器。当变化
至RDAC寄存器向建立一个新的雨刮器位置，
设定的值可以通过执行被保存到EEMEM
EEMEM保存操作。一旦设置被保存在EEMEM
寄存器，这些值将被自动转移到RDAC
寄存器来设置，在系统上电抽头位置。这样的操作
由内部预设选通脉冲使能和预先设定的，也可以
外部访问。
内部暂存器的RDAC寄存器可由被编程
微控制器来设置终端的W-和-B之间的电阻。
一旦达到目标值时，所述RDAC内容寄存器可以是
放置在非易失性存储器的电力时自动回收
了。
该AD5235是在薄TSSOP -16封装。所有部分都
保证工作在扩展工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C 。
2000 REV珠三角11月6日
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用;也为专利的任何侵犯或
第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O.盒9106 ，
诺伍德，MA 02062-9106 ü
.
S
.
A
.
联系电话： 781 / 329-4700
传真： 781 / 326-8703
初步的技术数据
非易失性存储器数字电位器
= +V
DD
, V
B
= 0V ， -40°C <牛逼
A
< + 85 ℃，除非另有说明。 ）
AD5235
民
-1
-2
-30
50
50
200
电气特性25K ， 250K OHM VERSIONS
(V
DD
= + 3V， ± 10％或+ 5V±10％和V
SS
=0V, V
A
参数
电阻差NL
2
非线性电阻器
2
标称电阻容差
电阻温度系数
滑动端电阻
滑动端电阻
符号
R- DNL
R- INL
R
R
AB
/T
R
W
R
W
N
INL
DNL
V
W
/T
V
WFSE
V
WZSE
V
A，B ，W
C
A，B
C
W
7
条件
R
WB
, V
A
nC
R
WB
, V
A
nC
T
A
= 25 ° C，V
AB
= V
DD
，雨刮器（V
W
） =无连接
VAB = VDD ，雨刮器（V
W
） =无连接
I
W
= 1 V / R ，V
DD
= +5V
I
W
= 1 V / R ，V
DD
= +3V
典型值
1
最大
+1
+2
30
100
单位
最低位
最低位
%
PPM /°C的
直流特性变阻器模式规范适用于所有村
±1/4
±1/2
直流特性电位器分频模式规范适用于所有村
决议
积分非线性
3
微分非线性
3
分压器温度系数
满量程误差
零刻度误差
电阻端子
电压范围
4
电容
5
AX ，BX
电容
5
Wx
共模漏电流
数字输入输出&
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输出逻辑高电平
输出逻辑高电平
输出逻辑低电平
输入电流
输入电容
5
电源
单电源功率范围
双电源功率范围
正电源电流
编程模式电流
阅读模式电流
负电源电流
功耗
6
电源灵敏度
动态特性
5, 7
带宽-3dB
总谐波失真
V
W
建立时间
电阻的噪声电压
相声
BW_25K
THD
W
t
S
e
N_WB
C
T
R = 12KΩ
V
A
= 1VRMS ，V
B
= 0V ， F = 1KHz的
V
A
= VDD ，V
B
= 0V ，终值50 ％
25K/250K
R
WB
= 10KΩ ， F = 1KHz的
V
A
= V
DD
, V
B
= 0V ， Measue V
W
与相邻
VR充分规模的变化
400
0.003
0.6/3/6
9
-65
千赫
%
s
nV√Hz
dB
V
DD
V
DD
/V
SS
I
DD
I
DD （ PG ）
I
DD （ READ ）
I
SS
P
DISS
PSS
V
SS
= 0V
V
SS
= 0V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND ，V
DD
= 2.5V, V
SS
= -2.5V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
DD
= +5V ±10%
2.7
±2.2
2
15
650
5.5
±2.7
20
V
V
A
mA
A
A
mW
%/%
V
IH
V
IL
V
OH
V
OH
V
OL
I
IL
C
IL
相对于GND
相对于GND
R
引体向上
= 2.2KΩ到+ 5V
I
OH
= 40μA ，V
逻辑
= +5V
I
OL
= 1.6毫安，V
逻辑
= +5V
V
IN
= 0V或V
DD
0.3V
DD
0.7V
DD
4.9
4
0.4
±1
5
V
V
V
V
V
A
pF
V
SS
F = 1MHz时，测量到GND ，代码=半级
F = 1MHz时，测量到GND ，代码=半级
V
A
= V
B
= V
DD
/2
45
60
0.01
1
V
DD
V
pF
pF
A
10
–2
–1
代码=半刻度
代码=满量程
代码=零刻度
–3
0
±1/2
±1/4
15
-1
+1
+2
+1
+0
+3
位
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
I
CM
10
0.002
0.05
0.01
REV珠三角2000年11月6日
2
本产品包含的概念数据表的信息描述了在早期定义阶段的产物。但不保证该
这里包含的信息将成为其目前的形式最终产品。有关最新信息，请联系华Heinzer / Analog Devices公司，圣克拉拉，
CA.电话：（ 408 ） 562-7254 ;传真：（408 ） 727-1550 ; walt.heinzer@analog.com
初步的技术数据
非易失性存储器数字电位器
= +V
DD
, V
B
= 0V ， -40°C <牛逼
A
< + 85 ℃，除非另有说明。 ）
AD5235
民
20
10
10
5
5
0
10
10
1
典型值
1
电气特性25K ， 250K OHM VERSIONS
(V
DD
= + 3V ± 10 ％到+ 5V±10％和V
SS
=0V, V
A
参数
时钟周期时间
输入时钟脉冲宽度
CS
建立时间
数据建立时间
数据保持时间
CLK停机时间
CS
上升到时钟上升沿设置
CS
高脉冲宽度
CLK到SDO传输延迟
9
保存到非易失EEMEM节省时间
10
CS
到SDO - SPI线采集
CS
到SDO - SPI线发布
RDY崛起CLK崛起
启动时间
CLK建立时间
预置脉冲宽度
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
标准结构代表的平均读数为+ 25°C和V
DD
= +5V.
电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻抽头之间的理想值之间的偏差。 R- DNL测量的相对步
改变从连续抽头位置之间的理想。部分保证单调性。参见图20测试电路。我
W
= V
DD
/ R为V
DD
= + 3V或V
DD
=+5V.
INL和DNL在V测量
W
与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0V.
± 1LSB最大DNL规范极限值保证单调的工作条件。参见图19的测试电路。
电阻端子A， B，W对极性没有限制相对于对方。
通过设计保证，不受生产测试。
P
DISS
从（我计算
DD
X V
DD
=+5V).
所有的动态特性采用V
DD
= +5V.
看测量值的位置的时序图。所有的输入控制电压与T指定
R
=t
F
=为2.5ns （10％至90％为3V ），并在1.5V的电压电平的定时。开关特性
同时使用V测
DD
= + 3V或+ 5V 。
传播延迟取决于V的价值
DD
, R
PULL -UP
和C
L
看到应用程序的文本。
低仅用于命令8 ， 9,10 ，2，3 ： CMD_8 1毫秒; CMD_9,10 0.1毫秒; CMD_2,3 20毫秒。
符号
t
1
t
2
, t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
t
9
t
10
t
11
t
12
t
13
t
14
t
15
t
16
t
PR
条件
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ms
ns
ns
接口时序特性适用于所有的零部件（注5,8）
时钟电平高或低
从积极CLK转型
从积极CLK转型
R
L
= 1kΩ的，C
L
< 20pF的
适用于命令2
H
, 3
H
25
25
1 CLK周期（T
4
- t
3
= 1 CLK周期）
50
时序图
CLK
t
16
t
4
t
1
t
3
t
2
t
8
t
7
t
9
t
5
t
6
CS
SDI
t
12
最高位
t
10
最低位
t
13
S.D。
1
S.D。
2
t
14
最高位
最高位
最低位
最低位
t
15
t
11
RDY
SDO
1
CLK空闲状态为低电平
SDO
2
CLK空闲时为高电平
图1.时序图
REV珠三角2000年11月6日
3
本产品包含的概念数据表的信息描述了在早期定义阶段的产物。但不保证该
这里包含的信息将成为其目前的形式最终产品。有关最新信息，请联系华Heinzer / Analog Devices公司，圣克拉拉，
CA.电话：（ 408 ） 562-7254 ;传真：（408 ） 727-1550 ; walt.heinzer@analog.com
初步的技术数据
非易失性存储器数字电位器
绝对最大额定值
(
T
A
= + 25 ° C，除非另有
说明）
V
DD
到GND ................................................ ..............- 0.3 ， + 7V
V
SS
到GND ................................................ ................. 0V ， -7V
V
DD
到V
SS
......................................................................... +7V
V
A
, V
B
, V
W
到GND ................................................ 。 V
SS
, V
DD
A
X
– B
X
, A
X
– W
X
, B
X
– W
X
...................................... ± 20毫安
O
x
到GND ................................................ ................... 0V ，V
DD
数字输入&输出电压GND .................. 0V ， + 7V
工作温度范围......................... -40 ° C至+ 85°C
最高结温（T
j max的情况
)...................+150°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） .......................... + 300℃
热阻
θ
JA ，
TSSOP- 16 ............................................... ....... 180 ° C / W
封装功耗= （ TJMAX - TA ） /
θ
JA
CLK
SDI
SDO
GND
V
SS
A1
W1
B1
1
2
3
4
5
6
7
8
15
CS
14
PR
13
WP
12
V
DD
11
A2
10
W2
9
B2
AD5235
AD5235
引脚配置
16
RDY
AD5235引脚功能说明
＃姓名
描述
1
2
CLK
SDI
SDO
串行输入寄存器时钟引脚。移在一个位在
一时间，正时钟边沿。
串行数据输入引脚。移在一个位在一个时间
正面的时钟CLK的边缘。
串行数据输出引脚。开漏输出
需要外部上拉电阻。命令9
10启动SDO输出。请参阅指令
操作真值表。表2中。
接地引脚，逻辑接地参考
负电源。连接到零伏特为单
电源应用。
RDAC1的终端。
RDAC1的滑动端，
ADDR（ RDAC1 ） = 0的
H
.
RDAC1的B端子。
RDAC2的B端子。
RDAC2的滑动端，
ADDR（ RDAC3 ）= 1
H
.
RDAC2的终端。
正电源引脚。应
≥
该
输入逻辑高电压。
写保护引脚。防止任何更改
目前EEMEM内容低电平有效时。
硬件，轻搭预设引脚。刷新
暂存寄存器的当前内容
EEMEM寄存器。出厂默认加载中量程
512
10
.
串行寄存器片选低电平有效。串行
注册操作发生时，
CS
返回到
逻辑高电平。
准备好了。高电平有效开漏输出。标识
指令2， 3，8 ，9，10的完成。
订购指南
模型
＃社区会堂/
千欧
温度
范围
包
包
说明选项
RU-16
RU-16
3
AD5235BRU25 X2 / 25
AD5235BRU250 X2 / 250
-40 / + 85°C TSSOP -16
-40 / + 85°C TSSOP -16
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
GND
V
SS
A1
W1
B1
B2
W2
A2
V
DD
WP
PR
该AD5235包含16000个晶体管。
芯片尺寸： 100× 105万= 10,500平方密耳
15
CS
16
RDY
REV珠三角2000年11月6日
4
本产品包含的概念数据表的信息描述了在早期定义阶段的产物。但不保证该
这里包含的信息将成为其目前的形式最终产品。有关最新信息，请联系华Heinzer / Analog Devices公司，圣克拉拉，
CA.电话：（ 408 ） 562-7254 ;传真：（408 ） 727-1550 ; walt.heinzer@analog.com
初步的技术数据
非易失性存储器数字电位器
操作概述
的AD5235数字电位计被设计成作为一个真正的
可变电阻器芯片，用于替代仍然存在模拟信号
Ⅴ的端电压范围内
SS
＆ LT ; V
TERM
＆ LT ; V
DD
。基本
电压范围被限制到为V
DD
- V
SS
<5.5V 。所述数字控制
电位器允许对暂存寄存器（ RDAC寄存器）
变化作出的，非易失性的，以及100000次
电可擦除存储器（ EEMEM ）寄存器的操作。该
EEMEM更新过程大约需要20.2ms ，在此
时间移位寄存器被锁定，防止采取任何改变
的地方。在RDY引脚标志完成这一EEMEM的保存。
在EEMEM保留的目的是过去10年没有刷新。
便笺寄存器可以逐步通过改变
软件控制的递增/递减指令或移位
左/右的指示命令。一旦递增，递减或
变速指令已被加载到移位寄存器中，随后
CS
闪光灯会重复执行此命令。这是按钮有用
控制应用。或者便笺寄存器可以是
使用标准的SPI串行任何位置值编程
通过装载有代表性的数据字接口模式。该
高速暂存寄存器可以加载的当前内容
节目控制之下非易失EEMEM寄存器。在系统
电源ON时，高速暂存存储器的默认值是值
先前保存在EEMEM寄存器。本厂EEMEM
预设值是中间值512
10
.
串行数据输出引脚可用于菊花链和
读出的内部寄存器的内容。串行输入数据
寄存器采用24位指令/地址/数据字。将写
保护（WP ）引脚提供了硬件EEMEM保护功能
禁用本EEMEM内容有任何变化。
串行数据接口
该AD5235包含一个四线SPI兼容数字接口
（ SDI ， SDO ，
CS ，
和CLK ） 。这个接口的主要功能包括：
独立可编程只读&写所有的寄存器
从所有RDAC抽头寄存器直接并联刷新
相应EEMEM寄存器
AD5235
本便笺RDAC寄存器的永久存储
值转换成相应的EEMEM寄存器
30个字节的用户可寻址的电可擦存储器的
AD5235数字电位器的串行接口采用的是24位
串行字加载MSB优先。 SPI的格式
兼容字被示于表1中命令位（ Cx的）
根据该控制数字电位器的操作
在表2中的地址位（AX ）中所示的命令指令
确定哪一个寄存器被激活。数据位（霉素）是
被装载到译码寄存器值。最后
前一段时间无需编程活动的指令执行
应中的NOP指令。这将会使内部逻辑
电路中的最低功耗状态。
PR
V A L号
合作mmand
CO温特
合作mmand
处理器
＆放大器;地址
解码
+5V
R
P ü L LU P
LK
发E - [R IA升
- [R E G IS T E
SDO
CS
SDI
GND
图2.等效数字输入输出逻辑
等效的串行数据的输入和输出的逻辑示于图
2.开漏输出SDO被禁用时的片选
CS
为逻辑高电平。 SPI接口可以在两个从模式下使用
CPHA = 1 ， CPOL = 1， CPHA = 0 ， CPOL = 0 。 CPHA和CPOL
参考控制位，它在下面的口授SPI时序
微处理器/ MicroConverters ： ADuC812的/ 824 ， M68HC11和
MC68HC16R1/916R1.
表1. AD5235 24位串行数据字
M
S
B
AD5235
C3 C2 C1 C0 A3 A2 A1 A0 X
X
X
X
X
X
D9 D8 D7 D6 D5 D4
命令位被鉴定为Cx的，地址位是斧子，和数据位的Dx 。命令指令代码在表2中定义。
D3
D2
D1
L
S
B
D0
REV珠三角2000年11月6日
5
本产品包含的概念数据表的信息描述了在早期定义阶段的产物。但不保证该
这里包含的信息将成为其目前的形式最终产品。有关最新信息，请联系华Heinzer / Analog Devices公司，圣克拉拉，
CA.电话：（ 408 ） 562-7254 ;传真：（408 ） 727-1550 ; walt.heinzer@analog.com
QQ：2880707522 复制
