L6382D5
外部自举二极管。这部分与自举电容一起提供的自举电压
来驱动高侧功率MOSFET 。这个功能是使用高电压DMOS驱动实现
这是同步驱动低侧外部功率MOSFET。为了操作安全，当前
BOOT引脚和Vcc之间流动总是受到抑制，即使ZVS操作可能无法得到保证。
5.4内部逻辑，过电流保护（ OCP ）和互锁功能。
昏暗的（数字
输入监视器）
块管理传递给驱动程序确保输入信号，它们
是所描述的启动过程中的低;在DIM模块控制在L6382D5行为
两
保存
和
操作
模式。
当引脚CSI电压克服了0.54V内部基准（典型值）的块锁存故障
状态：在此状态下， OCP块势力既低HSD和LSD信号，而民间社会组织将被强制为高。
这种情况持续锁定，直到LSI与恒指同时为低， CSI低于0.54V 。
这个功能适用于通过使用来实现过电流保护或硬开关检测
外部检测电阻器。
作为销的CSI的电压可以变为负时，电流必须低于2毫安由外部元件限定
堂费。
在DIM块的另一特征是
内部互锁
可避免交叉传导，在半
桥FET的：如果碰巧两个HGI和LGI输入的是在同一时间，然后LSG和HSG拉高
被迫低，只要这个关键条件依然存在。
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