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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第47页 > L6382D5TR
L6382D5
电源管理单元用于微控
镇流器
1
■
■
特点
集成的高电压启动
4驱动PFC ，半桥PRE- &
加热的MOSFET
充分整合电源管理
所有经营模式
5V微控制器兼容
内部两点VCC稳压器
具有过电流保护
数字输出信号
交叉传导保护
（联锁）
欠压锁定
集成自举二极管
图1.包装
■
SO20
■
■
■
表1.订购代码
产品型号
L6382D5
L6382D5TR
包
SO20管
SO20在磁带卷&
■
■
■
2
■
应用
可调光/非调光BALLST
由微控制器管理的褶皱。它允许
设计者要用于昼夜温差相同镇流器电路
同的灯功率/类型通过简单地改变
C
软件。
数字输入引脚 - 能够接收信号向
400KHz时 - 连接到亲电平转换器
韦迪的控制信号，其相关的驱动程序;在
特别是L6382D5嵌入一个驱动的
PFC预调节器的阶段，两位车手的镇流器
3
描述
在高压BCD离线技专
GY的L6382D5设有4个输入引脚和
设想用于AP-高电压启动发电机
图2.框图
HVSU
TPR
引导
>600V
高
“ON”时
BOOT
IC BIAS
P
UVLO
电压
启动
“关”的
发电机
R
Q
电平转换
5V
600V
HSD
HSG
OUT
LSD
S
Q
R Q
LSG
ON
PSW
5V
供应
L
O
G
I
C
TPR
S
Q
CSO
OCP
CSI
HED
HEG
PFD
暗淡
PFG
VCC
恒指LSI
HEI
PFI
REF
GND
2005年1月
第1版
1/14
L6382D5
半桥级（高电压，也包括自举功能） ，最后一个，以提供补充
甘南功能，如通过预热灯丝孤立在调光应用中提供的细丝。
精确的参考电压（ + 5V ± 1 ％ ）能够提供高达30mA的可供应
C
in
能操作
阿婷
模式。相反，在
启动
和
保存
模式中的电流在V
REF
是高达10mA的电流，这是
通过内部的高电压启动发电机提供。
该芯片已经构思了先进的电源管理逻辑，以减少电力损失并
弄皱了应用的可靠性。
在半桥部分，一个专利的集成的自举部分取代了外部自举二极管。
该L6382D5还集成了调节集成电路的电源电压（没有任何EX-的需要的功能
充电泵）并优化了电流消耗。
图3.引脚连接
（ TOP VIEW ）
PFI
LSI
恒指
HEI
PFG
北卡罗来纳州
TPR
GND
LSG
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VREF
CSI
CSO
HEG
北卡罗来纳州
HVSU
北卡罗来纳州
OUT
HSG
BOOT
图4.典型的系统框图
PFC
电路
AC
主电源
HV
启动
收费
泵
调节器
引导
HB
司机
TL
PFC
司机
5V
供应
保护
C
2/14
L6382D5
表2.引脚功能
N.
1
2
3
4
5
针
PFI
LSI
恒指
HEI
PFG
功能
数字输入信号来控制PFC的栅极驱动器。这个引脚必须连接到5V CMOS
兼容的信号。
数字输入信号来控制所述半桥的低侧驱动器。这个引脚必须连接到
5V CMOS兼容的信号。
数字输入信号来控制所述半桥的高边驱动器。这个引脚必须连接到
5V CMOS兼容的信号。
数字输入信号来控制HEG输出。这个引脚必须连接到5V CMOS
兼容的信号。
PFC驱动器输出。该引脚必须连接到PFC功率MOSFET的栅极。电阻
连接在这个引脚和功率MOS栅极之间可用于降低峰值电流。
内部10kΩ电阻对地避免了虚假和不想要的MOSFET导通
图腾柱输出级能够驱动功率MOS与120毫安的峰值电流
源和250毫安水槽。
没有连接
输入两个点调节;通过连接销与电容器的开关电路，它是
可能实施一种充电电路，针对Vcc 。
芯片地面。电流返回为低侧栅极驱动电流和所述偏置电流两者
IC 。所有的偏压构件的接地连接应连接到一个轨道要这
引脚和保持独立的任何脉冲电流的回报。
低端驱动器输出。这个引脚必须连接至半桥的低侧栅极
功率MOSFET 。连接这个引脚和功率MOS栅极之间的电阻可用于
以降低峰值电流。
内部20KΩ电阻对地避免了虚假和不想要的MOSFET导通。
图腾柱输出级能够驱动功率的120毫安源的峰值电流和
120毫安下沉。
电源电压的集成电路的信号部分和用于驱动程序。
高侧栅极驱动浮动电源电压。自举电容连接在此之间
销和销13 （OUT）是由一个内部同步自举二极管驱动的相位与供给
低侧栅极驱动。该专利结构通常替代了外部二极管。
高边驱动器输出。这个引脚必须连接到半桥高压侧的栅极
功率MOSFET 。连接这个引脚和功率MOS栅极之间的电阻可用于
以降低峰值电流。
内部20KΩ电阻对输出引脚避免虚假和不想要的MOSFET导通
图腾柱输出级能够驱动功率MOS与120毫安的峰值电流
源和120毫安水槽。
高侧栅极驱动浮地。电流返回给高侧栅极驱动电流。布局
仔细该引脚的连接，以避免在地下过大的尖峰。
没有连接
高电压启动。流入该引脚的电流充电连接的电容器
引脚Vcc和GND之间，以启动所述集成电路。而芯片处于节电模式中，发生器是
循环开关的导通和节能模式之间的电压。当芯片工作在
操作
模式发生器关闭时，它被重新启用时， Vcc的电压下降到低于
UVLO阈值。根据所需要的V
REF
引脚电流，该引脚可以连接到
整流电源电压直接地或者通过一个电阻器。
高电压隔离物。该引脚没有内部连接到隔离高电压引脚和
符合PCB上的安全法规（爬电距离）。
输出喜块;此驱动程序可以被用来激励MOS中分离的雇
灯丝预热。内部20KΩ电阻对地避免了虚假和不想要的
MOSFET导通。
6
7
8
北卡罗来纳州
TPR
GND
9
LSG
10
11
VCC
BOOT
12
HSG
13
14
15
OUT
北卡罗来纳州
HVSU
16
17
北卡罗来纳州
HEG
3/14
L6382D5
表2.引脚功能
（续）
N.
18
针
CSO
功能
电流检测比较器，采用5V CMOS逻辑兼容输出;中
操作
模式，
该引脚被拉低，而每当OC比较器被触发（ CSI> 0.55 TYP。）的销
锁定高。
输入电流检测比较器，它被使能仅在
操作模式;
当销
电压超过内部阈值时， CSO引脚被强制为高和半桥式驱动器
被禁用。退出这一情况通过骑自行车或者在VCC低于UVLO或
LGI = HGI =低的同时。
基准电压源。中
操作
模式内部生成器提供精确的电压
参考，可用于提供高达30mA到外部电路。一个小的薄膜电容器
（ 0.22μF分钟） ，连接在此引脚与GND之间的建议，以确保稳定
发电机，并防止噪声影响的参考。
19
CSI
20
VREF
表3.绝对最大额定值
符号
V
CC
V
HVSU
V
BOOT
V
OUT
I
TPR （ RMS ）
I
TPR （ PK ）
V
TPR
针
10
15
11
13
6
6
6
19
1, 2, 3, 4
9, 12, 17
5
TSTG
Tj
（ * ），不包括
操作
模式
参数
集成电路的电源电压（我
CC
= 20mA下）
高电压启动发电机电压范围
浮动电源电压
浮动接地电压
最大TPR RMS电流
TPR的最大峰值电流
最大TPR电压（*）
CSI输入电压
逻辑输入电压
工作频率
工作频率
储存温度
环境温度工作范围
价值
自限
-0.3 600
-1到V
HVSU
+V
CC
-1 600
±200
±600
14
-0.3 7
-0.3 7
15至400
15至600
-40到+150
-40到+125
单位
V
V
V
mA
mA
V
V
V
千赫
千赫
°C
°C
表4.热数据
符号
R
日J- AMB
参数
马克斯。热阻，结到环境
价值
120
单位
° C / W
4/14
L6382D5
表5.电气特性的影响（T
j
= 25 ° C，V
CC
= 12V ，除非另有规定）
符号
针
参数
测试条件
分钟。
典型值
最大
单位
电源电压
V
CCON
V
CCOFF
V
CCSM
VSMhys
V
REF （关闭）
IvccON
IvccSM
10
10
10
10
10
10
10
导通电压
关断电压
保存模电压
保存方式hysteresys
参考关断
启动电流
保存
模式
消费
当前
(1)
IVCC
Vz
10
10
静态电流
经营模式
内部齐纳
在VCC = 13V ; LGI = HGI =高;没有
上加载VREF 。
待定
150
12.75
13
14
9.3
13.8
0.115
7.65
150
190
230
2
14.85
15
V
V
V
V
V
A
A
A
mA
V
高电压启动
IMSS
15
15
ILSS
15
最大电流
导通电压
漏电流关断状态
V
HVSU
> 50V
I
HVSU
=5mA
V
HVSU
= 600V
20
待定
40
mA
V
A
两点稳压器（ TPR ）保护
TPR
st
TPR
（上）
TPR
（关闭）
10
10
10
7
7
7
VCC防护等级
VCC接通水平
VCC关断层面
状态输出电压
前锋
二极管
电压
操作
模式
操作
方式;
后
第一
在LSG下降沿
操作
模式;后的第一次
在LSG下降沿
I
TPR
= 200毫安
14.0
12.5
12.45
15.0
13.5
13.48
2
2
5
V
V
V
V
V
A
滴@ 600毫安正向电流。
V
TPR
= 13V
漏电流关断状态
LSG ， HEG & PFG DRIVERS
V
OH （ LS
)
V
OL （ LS ）
5, 9, 17
5, 9, 17
高输出电压
低输出电压
灌电流能力
ILSG = 10毫安
ILSG = 10毫安
LSG和PFG
HEG
120
50
V
CC
-0.5
0.5
V
V
mA
mA
5/14
L6382D5
电源管理单元
对于微控镇流器
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
集成的高电压启动
4驱动的PFC ，半桥&预热
MOSFET的
完全集成的电源管理全部
操作模式
5V微控制器兼容
内部2点V
CC
调节器
过电流保护，数字输出
信号
交叉传导保护（联锁）
欠压锁定
集成自举二极管
SO-20
描述
该L6382D5适合微控
电子镇流器嵌入一个PFC级和
半桥阶段。该L6382D5包括4
MOSFET的驱动级（用于PFC ，对于半
桥，用于预热MOSFET），再加上一个功率
管理单元（PMU ），还设有一个
参考能够提供微控制器中的任何
条件。
除了提高应用效率，在
L6382D5降低了材料清单，因为
不同的任务（关于驱动器和功率
管理）是由一个单一的集成电路，执行这
提高了应用程序的可靠性。
应用
■
可调光/非调光镇流器
图1 。
框图
2007年3月
REV 3
1/21
www.st.com
21
目录
L6382D5
目录
1
2
设备描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
引脚设置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
2.2
引脚连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
3
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
3.1
3.2
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
热数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
4
5
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
应用程序的信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
5.1
5.2
电源管理。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
启动方式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
5.2.1
5.2.2
5.2.3
保存方式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
关闭。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
6
块描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
6.1
6.2
6.3
6.4
供电部分。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
5V参考电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
驱动程序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
内部逻辑，过电流保护（ OCP）和互锁功能。 。 16
7
8
9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
订购代码。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
2/21
L6382D5
设备描述
1
设备描述
在高压BCD离线技术设计， L6382D5设有4个输入
引脚和设想通过一个管理应用程序的高电压启动发电机
微控制器。它允许设计人员使用不同灯管相同的镇流器电路
功率/类型通过简单地改变
C
软件。
数字输入引脚 - 能够接收信号高达400kHz - 连接到电平转换器
提供控制信号给其相关的驱动程序;特别是L6382D5嵌入
一个驱动器的PFC预调节器的阶段，两个驱动器的镇流器半桥级（高
电压，也包括自举功能） ，最后一个，以提供补充
像通过预热灯丝隔离可调光中提供的细丝特点
应用程序。
精确的参考电压（ + 5V ± 2 ％ ），能够提供高达30mA的可供应
C
in
操作
模式。相反，在
启动
和
保存
模式中的电流在V
REF
是高达10mA的电流，它是由内部的高电压的启动发电机提供。
该芯片已经构思了先进的电源管理逻辑来降低功耗
损耗，提高了应用的可靠性。
在半桥部分，一个专利的集成引导部分取代了外部
自举二极管。
该L6382D5还集成了调节IC的电源电压（无功能
需要任何外部电荷泵）和优化的电流消耗。
图2中。
典型的系统框图
3/21
PIN设置
L6382D5
2
2.1
PIN设置
引脚连接
网络连接gure 3 。
引脚连接
（ TOP VIEW ）
PFI
LSI
恒指
HEI
PFG
北卡罗来纳州
TPR
GND
LSG
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VREF
CSI
CSO
HEG
北卡罗来纳州
HVSU
北卡罗来纳州
OUT
HSG
BOOT
2.2
引脚说明
表1.引脚说明
名字
1
2
3
4
引脚n °
PFI
LSI
恒指
HEI
描述
数字输入信号来控制PFC的栅极驱动器。该引脚必须连接
至5V CMOS兼容的信号。
数字输入信号来控制所述半桥的低侧驱动器。该引脚必须
连接到5V CMOS兼容信号。
数字输入信号来控制所述半桥的高边驱动器。该引脚必须
连接到5V CMOS兼容信号。
数字输入信号来控制HEG输出。这个引脚必须连接到
5V CMOS兼容的信号。
PFC驱动器输出。该引脚必须连接到PFC功率MOSFET
门。连接这个引脚和功率MOS栅极之间的电阻可
用于降低峰值电流。内部10kΩ电阻对地
避免虚假和不想要的MOSFET导通
图腾柱输出级能够驱动功率MOS具有峰值
目前120毫安源和250毫安水槽。
没有连接
输入两个点调节;通过连接销与电容器的开关
电路，就可以实现一个充电电路，针对Vcc 。
芯片地面。电流返回为低侧栅极驱动电流和两
偏置电流的IC 。所有的偏压构件的接地连接
应与轨道将在此引脚和保持独立于任何脉冲
目前的回报。
5
PFG
6
7
北卡罗来纳州
TPR
8
GND
4/21
L6382D5
表1.引脚说明
（续）
名字
引脚n °
描述
PIN设置
9
LSG
低端驱动器输出。这个引脚必须连接到半桥的栅极
桥的低侧功率MOSFET 。连接这个引脚和之间的电阻
功率MOS栅可用于降低峰值电流。
内部20KΩ电阻对地避免了虚假和不想要的
MOSFET导通。
图腾柱输出级能够驱动功率的峰值电流
120毫安源和120毫安片。
电源电压的集成电路的信号部分和用于驱动程序。
高侧栅极驱动浮动电源电压。自举电容
连接该引脚和13引脚（ OUT）之间通过内部反馈
同步自举二极管驱动阶段与低侧栅极驱动器。这
专利结构通常替代了外部二极管。
高边驱动器输出。这个引脚必须连接到一半的栅
桥高侧功率MOSFET 。连接该引脚之间的电阻
功率MOS栅可用于降低峰值电流。
内部20KΩ电阻对输出引脚避免虚假和不想要的
MOSFET导通
图腾柱输出级能够驱动功率MOS具有峰值
目前120毫安源和120毫安水槽。
高侧栅极驱动浮地。目前的回报为高侧栅极驱动器
电流。精心布局这个引脚的连接，以避免过大的尖峰
在地面以下。
没有连接
高电压启动。流入该引脚的电流为电容器充电，
连接引脚Vcc和GND之间，以启动所述集成电路。同时该芯片是在
节省模式中，发生器被循环通断导通和节省模式之间
电压。当芯片工作在
操作
模式发生器被关闭
并重新启用当VCC电压低于欠压锁定阈值。
根据所需要的V
REF
引脚电流，该引脚可以连接到
整流电源电压直接地或者通过一个电阻器。
高电压隔离物。该引脚没有内部连接到隔离高
电压引脚，并遵守有关的安全法规（爬电距离）
PCB 。
输出喜块;此驱动程序可以被用来激励MOS采用
孤立的细丝预热。内部20KΩ电阻对地避免
虚假和不想要的MOSFET导通。
电流检测比较器，采用5V CMOS逻辑兼容输出;中
操作
模式下，该引脚被拉低，而每当OC比较器
触发（ CSI> 0.55 TYP。）的引脚保持高电平。
输入电流检测比较器，它被使能仅在
操作模式;
当该脚电压超过内部阈值时， CSO引脚被强制
高和半桥式驱动器将被禁用。退出从这种情况通过
无论是骑自行车在VCC低于UVLO或与LGI = HGI =低的同时。
基准电压源。中
操作
模式内部产生提供了一个
精确的电压基准，可用于提供高达30mA的
外部电路。一个小的薄膜电容器（ 0.22μF分钟） ，此连接之间
引脚和GND建议，以确保在发电机和稳定性
防止噪声影响的参考。
10
VCC
11
BOOT
12
HSG
13
14
OUT
北卡罗来纳州
15
HVSU
16
北卡罗来纳州
17
HEG
18
CSO
19
CSI
20
VREF
5/21
L6382D5
电源管理单元用于微控
镇流器
1
■
■
特点
集成的高电压启动
4驱动PFC ，半桥PRE- &
加热的MOSFET
充分整合电源管理
所有经营模式
5V微控制器兼容
内部两点VCC稳压器
具有过电流保护
数字输出信号
交叉传导保护
（联锁）
欠压锁定
集成自举二极管
图1.包装
■
SO20
■
■
■
表1.订购代码
产品型号
L6382D5
L6382D5TR
包
SO20管
SO20在磁带卷&
■
■
■
2
■
应用
可调光/非调光BALLST
由微控制器管理的褶皱。它允许
设计者要用于昼夜温差相同镇流器电路
同的灯功率/类型通过简单地改变
C
软件。
数字输入引脚 - 能够接收信号向
400KHz时 - 连接到亲电平转换器
韦迪的控制信号，其相关的驱动程序;在
特别是L6382D5嵌入一个驱动的
PFC预调节器的阶段，两位车手的镇流器
3
描述
在高压BCD离线技专
GY的L6382D5设有4个输入引脚和
设想用于AP-高电压启动发电机
图2.框图
HVSU
TPR
引导
>600V
高
“ON”时
BOOT
IC BIAS
P
UVLO
电压
启动
“关”的
发电机
R
Q
电平转换
5V
600V
HSD
HSG
OUT
LSD
S
Q
R Q
LSG
ON
PSW
5V
供应
L
O
G
I
C
TPR
S
Q
CSO
OCP
CSI
HED
HEG
PFD
暗淡
PFG
VCC
恒指LSI
HEI
PFI
REF
GND
2005年1月
第1版
1/14
L6382D5
半桥级（高电压，也包括自举功能） ，最后一个，以提供补充
甘南功能，如通过预热灯丝孤立在调光应用中提供的细丝。
精确的参考电压（ + 5V ± 1 ％ ）能够提供高达30mA的可供应
C
in
能操作
阿婷
模式。相反，在
启动
和
保存
模式中的电流在V
REF
是高达10mA的电流，这是
通过内部的高电压启动发电机提供。
该芯片已经构思了先进的电源管理逻辑，以减少电力损失并
弄皱了应用的可靠性。
在半桥部分，一个专利的集成的自举部分取代了外部自举二极管。
该L6382D5还集成了调节集成电路的电源电压（没有任何EX-的需要的功能
充电泵）并优化了电流消耗。
图3.引脚连接
（ TOP VIEW ）
PFI
LSI
恒指
HEI
PFG
北卡罗来纳州
TPR
GND
LSG
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VREF
CSI
CSO
HEG
北卡罗来纳州
HVSU
北卡罗来纳州
OUT
HSG
BOOT
图4.典型的系统框图
PFC
电路
AC
主电源
HV
启动
收费
泵
调节器
引导
HB
司机
TL
PFC
司机
5V
供应
保护
C
2/14
L6382D5
表2.引脚功能
N.
1
2
3
4
5
针
PFI
LSI
恒指
HEI
PFG
功能
数字输入信号来控制PFC的栅极驱动器。这个引脚必须连接到5V CMOS
兼容的信号。
数字输入信号来控制所述半桥的低侧驱动器。这个引脚必须连接到
5V CMOS兼容的信号。
数字输入信号来控制所述半桥的高边驱动器。这个引脚必须连接到
5V CMOS兼容的信号。
数字输入信号来控制HEG输出。这个引脚必须连接到5V CMOS
兼容的信号。
PFC驱动器输出。该引脚必须连接到PFC功率MOSFET的栅极。电阻
连接在这个引脚和功率MOS栅极之间可用于降低峰值电流。
内部10kΩ电阻对地避免了虚假和不想要的MOSFET导通
图腾柱输出级能够驱动功率MOS与120毫安的峰值电流
源和250毫安水槽。
没有连接
输入两个点调节;通过连接销与电容器的开关电路，它是
可能实施一种充电电路，针对Vcc 。
芯片地面。电流返回为低侧栅极驱动电流和所述偏置电流两者
IC 。所有的偏压构件的接地连接应连接到一个轨道要这
引脚和保持独立的任何脉冲电流的回报。
低端驱动器输出。这个引脚必须连接至半桥的低侧栅极
功率MOSFET 。连接这个引脚和功率MOS栅极之间的电阻可用于
以降低峰值电流。
内部20KΩ电阻对地避免了虚假和不想要的MOSFET导通。
图腾柱输出级能够驱动功率的120毫安源的峰值电流和
120毫安下沉。
电源电压的集成电路的信号部分和用于驱动程序。
高侧栅极驱动浮动电源电压。自举电容连接在此之间
销和销13 （OUT）是由一个内部同步自举二极管驱动的相位与供给
低侧栅极驱动。该专利结构通常替代了外部二极管。
高边驱动器输出。这个引脚必须连接到半桥高压侧的栅极
功率MOSFET 。连接这个引脚和功率MOS栅极之间的电阻可用于
以降低峰值电流。
内部20KΩ电阻对输出引脚避免虚假和不想要的MOSFET导通
图腾柱输出级能够驱动功率MOS与120毫安的峰值电流
源和120毫安水槽。
高侧栅极驱动浮地。电流返回给高侧栅极驱动电流。布局
仔细该引脚的连接，以避免在地下过大的尖峰。
没有连接
高电压启动。流入该引脚的电流充电连接的电容器
引脚Vcc和GND之间，以启动所述集成电路。而芯片处于节电模式中，发生器是
循环开关的导通和节能模式之间的电压。当芯片工作在
操作
模式发生器关闭时，它被重新启用时， Vcc的电压下降到低于
UVLO阈值。根据所需要的V
REF
引脚电流，该引脚可以连接到
整流电源电压直接地或者通过一个电阻器。
高电压隔离物。该引脚没有内部连接到隔离高电压引脚和
符合PCB上的安全法规（爬电距离）。
输出喜块;此驱动程序可以被用来激励MOS中分离的雇
灯丝预热。内部20KΩ电阻对地避免了虚假和不想要的
MOSFET导通。
6
7
8
北卡罗来纳州
TPR
GND
9
LSG
10
11
VCC
BOOT
12
HSG
13
14
15
OUT
北卡罗来纳州
HVSU
16
17
北卡罗来纳州
HEG
3/14
L6382D5
表2.引脚功能
（续）
N.
18
针
CSO
功能
电流检测比较器，采用5V CMOS逻辑兼容输出;中
操作
模式，
该引脚被拉低，而每当OC比较器被触发（ CSI> 0.55 TYP。）的销
锁定高。
输入电流检测比较器，它被使能仅在
操作模式;
当销
电压超过内部阈值时， CSO引脚被强制为高和半桥式驱动器
被禁用。退出这一情况通过骑自行车或者在VCC低于UVLO或
LGI = HGI =低的同时。
基准电压源。中
操作
模式内部生成器提供精确的电压
参考，可用于提供高达30mA到外部电路。一个小的薄膜电容器
（ 0.22μF分钟） ，连接在此引脚与GND之间的建议，以确保稳定
发电机，并防止噪声影响的参考。
19
CSI
20
VREF
表3.绝对最大额定值
符号
V
CC
V
HVSU
V
BOOT
V
OUT
I
TPR （ RMS ）
I
TPR （ PK ）
V
TPR
针
10
15
11
13
6
6
6
19
1, 2, 3, 4
9, 12, 17
5
TSTG
Tj
（ * ），不包括
操作
模式
参数
集成电路的电源电压（我
CC
= 20mA下）
高电压启动发电机电压范围
浮动电源电压
浮动接地电压
最大TPR RMS电流
TPR的最大峰值电流
最大TPR电压（*）
CSI输入电压
逻辑输入电压
工作频率
工作频率
储存温度
环境温度工作范围
价值
自限
-0.3 600
-1到V
HVSU
+V
CC
-1 600
±200
±600
14
-0.3 7
-0.3 7
15至400
15至600
-40到+150
-40到+125
单位
V
V
V
mA
mA
V
V
V
千赫
千赫
°C
°C
表4.热数据
符号
R
日J- AMB
参数
马克斯。热阻，结到环境
价值
120
单位
° C / W
4/14
L6382D5
表5.电气特性的影响（T
j
= 25 ° C，V
CC
= 12V ，除非另有规定）
符号
针
参数
测试条件
分钟。
典型值
最大
单位
电源电压
V
CCON
V
CCOFF
V
CCSM
VSMhys
V
REF （关闭）
IvccON
IvccSM
10
10
10
10
10
10
10
导通电压
关断电压
保存模电压
保存方式hysteresys
参考关断
启动电流
保存
模式
消费
当前
(1)
IVCC
Vz
10
10
静态电流
经营模式
内部齐纳
在VCC = 13V ; LGI = HGI =高;没有
上加载VREF 。
待定
150
12.75
13
14
9.3
13.8
0.115
7.65
150
190
230
2
14.85
15
V
V
V
V
V
A
A
A
mA
V
高电压启动
IMSS
15
15
ILSS
15
最大电流
导通电压
漏电流关断状态
V
HVSU
> 50V
I
HVSU
=5mA
V
HVSU
= 600V
20
待定
40
mA
V
A
两点稳压器（ TPR ）保护
TPR
st
TPR
（上）
TPR
（关闭）
10
10
10
7
7
7
VCC防护等级
VCC接通水平
VCC关断层面
状态输出电压
前锋
二极管
电压
操作
模式
操作
方式;
后
第一
在LSG下降沿
操作
模式;后的第一次
在LSG下降沿
I
TPR
= 200毫安
14.0
12.5
12.45
15.0
13.5
13.48
2
2
5
V
V
V
V
V
A
滴@ 600毫安正向电流。
V
TPR
= 13V
漏电流关断状态
LSG ， HEG & PFG DRIVERS
V
OH （ LS
)
V
OL （ LS ）
5, 9, 17
5, 9, 17
高输出电压
低输出电压
灌电流能力
ILSG = 10毫安
ILSG = 10毫安
LSG和PFG
HEG
120
50
V
CC
-0.5
0.5
V
V
mA
mA
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