飞利浦半导体
产品speci fi cation
高频/甚高频功率MOS晶体管
极限值
按照绝对最大系统（IEC 134）。
符号
V
DS
±V
GS
I
D
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
总功耗
储存温度
结温
最多至T
mb
= 25
°C
条件
65
分钟。
BLF242
马克斯。
65
20
1
16
150
200
单位
V
V
A
W
°C
°C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日MB -H
参数
从热阻
结到安装基座
从热阻
安装底座到散热片
条件
T
mb
= 25
°C;
P
合计
= 16 W
T
mb
= 25
°C;
P
合计
= 16 W
热阻
11 K / W
0.3 K / W
手册， halfpage
10
MRA918
MPG141
手册， halfpage
20
ID
(A)
P合计
(W)
(2)
1
(1)
(2)
(1)
10
10
1
10
2
1
10
VDS （ V）
10
2
0
0
50
100
TH（ ° C）
150
（ 1）电流是此区域可以由R限于
DS （ ON）
.
(2) T
mb
= 25
°C.
（ 1 ）连续运行。
（2）不匹配时短时操作。
图2 DC飙升。
图3电源/温度降额曲线。
1992年9月
3
