LT3782
应用S我FOR ATIO
对于给定的V
IN
和V
OUT
我们可以计算占空比
D和再导出输出RMS纹波电流
图6.具有足够的选择输出电容后
额定电流有效值，我们还需要考虑
ESR的要求，如果电解电容， Tantulum帽，
POSCAPs或SP帽选择。鉴于所需
输出纹波电压规格
V
OUT
（在RMS值）与
计算出的RMS纹波电流
I
OUT
，可以估算出
输出电容的ESR值是
ESR
≤
V
OUT
I
OUT
外部稳压偏置栅极驱动器
如果V
IN
比24V高的应用程序所需要的
LT3782驱动大功率MOSFET的IC温度
太高。以减少热量，之间的外部调节器
12V至14V ，应采用覆盖内部V
gbias
调节器提供所需要的BGATE1电流和
BGATE2 （参见图7）。
LT3782
gbias
GBIAS1
GBIAS2
3782 F07
+
12V
2F
图7
效率方面的考虑
的开关稳压器的效率等于
输出功率与输入功率（100 ％ ）分。 Per-
％的效率可以表示为：
％ Ef中网络连接效率= 100％ - （L1 + L2 + L3 + ...） ，
其中， L1，L2等是个别损耗部件
输入功率的百分比。它往往是有益的
分析单个损耗，以确定是什么限制的
EF网络效率并改变会产生最
改进。虽然在所有的耗能元件
电路产生的损失，四个主要的来源通常占
对于大多数在LT3782应用的损失
电路：
12
U
1.电源电流中V
IN
。在V
IN
电流的总和
直流电源电流I的
Q
（在给定的电
特性）和MOSFET驱动器和控制
电流。直流电源的电流流入V
IN
引脚
通常约7毫安，代表小功率损耗
（远小于1％ ），使得具有V增加
IN
。驱动程序
从开关的栅极电容电流的结果
功率MOSFET ;这个电流通常大得多
比直流电流。每次MOSFET切换
然后再关上，栅电荷Q包
G
被转移
从GBIAS接地。所得dQ的/ （dt）是一个电流
必须通过被提供给GBIAS电容器
在V
IN
销由外部供应。在正常操作中：
I
Q（ TOT ）
≈
I
Q
= F Q
G
P
IC
= V
IN
(I
Q
+ F Q
G
)
2.功率MOSFET的开关损耗和传导损耗：
I
O（最大值）
2
R
P
FET
=
DS （ ON）
D
最大
ρ
T
1 – D
最大
I
O（最大值）
2
+
K = V
O2
C
RSS
f
1 – D
最大
2
W
U
U
3.我
2
损失在检测电阻可以计算
几乎被检查。
I
O（最大值）
2
R D钮
=
最大
1 – D
最大
2
P
R（ SENSE ）
4.在所述电感器中的损耗是简单地将直流输入
电流的平方倍的绕组电阻。 Express-
荷兰国际集团这个损耗随着输出电流产率的一个函数：
I
O（最大值）
2
R
=
W
1 – D
最大
3782fa
2
P
R（绕组）
