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M29F040
内存块
该M29F040的存储器块被示于
图3的存储器阵列被分成8均匀
64字节块。每个块可以被擦除
单独或组中的任何组合可以是
同时擦除。块擦除操作
由P / E.C自动管理。该操作
化可以以任何读取暂停
其它的块，然后重新开始。
块保护提供额外的数据的安全性。
每一个均匀的块可以单独保护或
无法防范编程或擦除。使A9
和G到V
ID
启动保护，同时使A9 ，
G和E至V
ID
取消保护。块
期间保护受到在 - 被寻址
穿A16， A17 ，和A18 。撤消操作
影响所有块。
操作
操作被定义为特定的总线周期和
信号允许存储器读取，命令
写，输出禁用，待机，读取状态位，
块保护/撤消，块保护检查
电子签名阅读。它们示于
表3 ，4，5 。
读取。
读操作被用于输出
存储器阵列的内容，状态寄存器
或电子签名。这两个芯片使能ê
和输出使能必须低，以读
存储器的输出。该芯片使能输入
还提供了功率控制和应使用
设备选择。输出使能应该被用来
栅数据到输出独立于设备
选择。的数据读出依赖于前面的
命令写入到存储器中（详见说明书
RST和RSIG和状态位） 。
写。
写操作是用来给指令
命令到存储器或锁存输入数据，以
进行编程。开始写操作时，
芯片使能E为低和写使能W为低
与输出使能摹高。地址锁存
W上或E取其最后一次出现下降沿。
命令和输入数据被锁存的上升
以先到为准W或é的边缘。
输出禁用。
数据输出为高阻抗
ANCE当输出使能G是高配写
使W高。
待机。
内存处于待机状态时，芯片
启用E是高和编程/擦除控制器
P / E.C 。空闲。的功率消耗减小
到备用电平，输出为高im-
pedance ，独立的输出使能G或
写使能W输入。
自动待机。
后闲置为150ns和
当CMOS电平驱动地址时，
芯片会自动进入一个伪待机模式
其中消耗减少到CMOS
备用值，而产出仍然驾驶
总线。
电子签名。
两码识别
制造商，该设备可以从被读
存储器，制造者代码为STMicroelec-
TRONICS是20小时，并且该器件的代码是E2H为
M29F040 。这些代码允许编程分析装备
换货或应用程序自动匹配他们的
界面的特定的特征
制造商的产品。电子签名
是读操作电压时，输出
适用于A9是在V
ID
和地址输入A1和
A6为低。制造商代码输出
当地址输入A0为低并且设备
代码时，该输入为高。其他地址输入
将被忽略。该代码是上DQ0 - DQ7的输出。
这示于表4中。
电子签名，也可以读出，而不
A9提高到V
ID
通过给存储器中的指令
化RSIG （见下文） 。
块保护。
每块均匀即可
单独保护，防止编程或擦除。
块保护提供了额外的数据安全性，
因为它会禁用所有编程或擦除操作。这
当两个A9和G被设置为模式被激活
V
ID
和块地址被施加于A16 -A18 。
块保护使用的Presto F被编程的
节目像算法。保护的开始
W的边缘下降到V
IL
。然后为100μs的延迟之后，
W的边缘上升到V
IH
结束保护
操作。保护校验通过使实现
G， E和A6到V
IL
而W是在V
IH
和A9在V
ID
.
在这些条件下，读数据输出将
收率01H如果通过输入端上的规定的块
A16 -A18是受保护的。任何编程或企图
删除受保护的块将被忽略
装置。
任何受保护的块可以被保护，使
更新一点内容。所有的块必须被亲
在撤消操作前tected 。块非
当A9 ，G和E是在V保护被激活
ID
.
在地址输入端的A6 ，A12， A16必须main-
tained在V
IH
。块撤消通过执行
一个普雷斯托F像擦除算法。撤消是initi-
由W的边缘下落到V ated
IL
。一个延迟之后
为10ms时，W的边缘上升到V
IH
将结束
解除保护操作。解除确认是
通过将G和E至V实现
IL
而A6和
W分别在V
IH
和A9在V
ID
。在这些条件下，
读取输出数据将产生为00h如果块
通过A16 - A18中输入定义一直suc-
功地保护。 A16-的所有组合
A18必须以确保所有处理
的8均匀的块已被保护。
块保护状态示于表5中。
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