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M29F040
表11.直流特性
(T
A
= 0至70℃ ， -20℃至85 ℃， -40至85℃或-40 125℃ ; V
CC
= 5V
±
10%)
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
输出高电压CMOS
V
ID
I
ID
V
LKO
A9电压（电子签名）
A9电流（电子签名）
电源电压（擦除和
程序锁定）
A9 = V
ID
3.2
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流（读出）
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
电源电流（编程或擦除）
电源电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
I
OL
= 10毫安
I
OH
= -2.5mA
I
OH
= –100A
I
OH
= -2.5mA
2.4
V
CC
–0.4
0.85 V
CC
11.5
12.5
50
4.2
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
E = V
IL
，G = V
IH
， F = 6MHz的
E = V
IH
E = V
CC
±
0.2V
字节的程序，
块擦除
芯片擦除正在进行中
–0.5
2
民
最大
±1
±1
15
1
50
20
40
0.8
V
CC
+ 0.5
0.45
单位
A
A
mA
mA
A
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
A
V
读数据块保护（ RBP ）的指令。
该
使用读电子签名（ RSIG ）命令
也可以访问块保护状态
核实。给予RSIG命令后，将A0和A6
被设定为V
IL
与A1在V
IH
而A16 ， A17和
A18限定的块的块，以进行验证。一
阅读这些条件将输出01H ，如果块
保护，如果块没有被保护的00H 。
这种读数据块保护是唯一有效的办法
检查块的保护状态。尽管如此
以下时，决不能在块保护时使用
相作为一种方法来验证块保护。
请参阅块保护段。
芯片擦除（ CE ）指令。
该指令使用
6写周期。擦除设置命令80H
写入地址5555H上之后的第三周期
两个编码周期。芯片擦除确认的COM
命令10H被写入在第六周期地址5555H
接连两个编码周期。如果第二个的COM
命令给定的不擦除确认，或者如果该编码
循环是错误的，该指令将中止与
设备重置为读阵列。它是没有必要
首先作为P / E.C编程与00H的数组。将
擦除到FFH之前自动执行此操作。读
之后， W或E的第六个上升沿操作
输出状态寄存器的位。期间都是空
化擦除的P / E.C的。内存接收
只有复位（ RST ）命令。读出的数据
轮询位，DQ7返回“ 0”，那么就完成'1'。
擦除操作过程中切换位DQ6切换
停止时擦除完毕。完井后
DQ5返回“1” ，如果化的状态寄存器位有
一直是擦除失败的，因为擦除
尚未在最大后甚至已验证
擦除周期数已执行。
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