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M29F002T ， M29F002NT ， M29F002B
表13.直流特性
(T
A
= 0至70
°
C或-40 85
°
℃; V
CC
= 5V
±
10%)
符号
I
李（2）
I
LO
I
LR1
I
LR2
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4 (1)
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
ID
I
ID
V
LKO
参数
输入漏电流
输出漏电流
RPNC漏电流高
RPNC漏电流低
电源电流（读） TTL字节
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
电源电流（编程或擦除）
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
输出高电压CMOS
A9 ，E ，G ， RPNC高压
A9 ，E ，G ， RPNC高电流
电源电压（擦除和
程序锁定）
A9 ， E， G或RPNC = V
ID
3.2
I
OL
= 5.8毫安
I
OH
= -2.5mA
I
OH
= –100
A
2.4
V
CC
–0.4V
11.5
12.5
100
4.2
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
RPNC = V
CC
RPNC = V
SS
E = V
IL
，G = V
IH
， F = 6MHz的
E = V
IH
E = V
CC
±
0.2V
字节的程序，阻止或
芯片擦除正在进行中
–0.5
2
–0.2
民
最大
±1
±1
±1
–10
20
1
100
20
0.8
V
CC
+ 0.5
0.45
单位
A
A
A
A
mA
mA
A
mA
V
V
V
V
V
V
A
V
注意：
1.采样只，而不是100 ％测试。
2.除RPNC 。
块擦除（ BE ）指令。
该指令
使用至少6个写入周期。擦除
建立命令80H写入地址555H上
两个编码周期后的第三周期。块
擦除确认命令30H也同样写在
接连两个编码周期的第六个周期。
在第二个命令的AD-的输入
块内的着装要被擦除，并给出
锁存到所述存储器中。额外的块擦除
确认命令和块地址可以是
随后写入擦除杆其他块
等位基因，没有进一步的编码周期。擦除会
擦除超时后启动（参见擦除
定时器位DQ3说明） 。因此，额外的擦除
其他区块确认命令必须给
在此延迟。新擦除确认输入
命令将重新启动thetimeout时期。状态
内部定时器可以通过监视
DQ3的水平，如果DQ3为'0'的块擦除的COM
命令已给出，并在超时运行时，如果
DQ3为' 1 ' ，超时已过期和P / EC
被擦除的块（多个） 。如果第二指令
定是不是擦除确认或者如果编码周期
是错误的，则指令将中止，而且该装置是
复位到读阵列。这是没有必要的程序
以00H作为P / E.C块。会做这种自动
matically前erasingto FFH 。读操作
之后W或输出的第六上升沿
状态寄存器中的状态位。
在executionof擦除的P / EC ，该
内存只接受擦除挂起ES和
读/复位RD指令。数据轮询位DQ7
返回' 0 '，而擦除过程中和'1'
当它已完成。切换位DQ2和
DQ6的擦除操作期间切换。他们停止
当擦除完成。完成后
状态寄存器位DQ5 returns'1 “如果出现了
擦除失败。在这种情况下，该切换位
DQ2可以被用来确定哪些块是不是
正确擦除。在擦除失败，一个的情况下
读/复位RD指令是必要的，以
复位的P / E.C 。
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