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DDR SDRAM （ Rev.1.2 ）
六月'01
初步
M2S56D20 / 30 / 40ATP
三菱的LSI
256M双数据速率同步DRAM
基本功能
该M2S56D20 / 30 / 40ATP提供了基本的功能，银行（行）激活，突发读取/写入，银行
（行）预充电和自动/自刷新。每一个命令是由/ RAS控制信号定义，
/ CAS和/ WE在CLK的上升沿。除了3个信号， / CS ， CKE和A10被用作芯片
选择，分别刷新选项，和预充电的选项。要知道的详细定义
命令，请参见命令真值表。
/ CLK
CLK
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
CKE
A10
芯片选择： L =选择， H =取消
命令
命令
命令
刷新选项@refresh命令
预充电选@precharge或读/写命令
定义基本命令
激活（ ACT ） [ / RAS = L ， / CAS = / WE = H]
ACT命令激活一排由BA表示闲置银行。
读（READ ） [ / RAS = H ， / CAS = L ， / WE = H]
READ命令启动突发由BA表示当前银行读取。第一个输出数据出现后，
/ CAS延迟。当A10 = H在此命令中，该行读突发（后自动被停用
预充电，
READA ）
写（ WRITE） [ / RAS = H， / CAS = / WE = L]
写命令启动突发写入由广管局表示活动的银行。要写入的总数据长度
由突发长度设置。当A10 = H在此命令中，银行突发写入之后停用
（自动预充电，
WRITEA ）
预充电（PRE ） / RAS = L ， / CAS = H， / WE = L]
PRE命令将停用由BA表示活动的银行。该命令还终止突发读
/写操作。当A10 = H在此命令，所有银行都取消（全部预充电，
PREA
).
自动刷新（ REFA ） [ / RAS = / CAS = L ， / WE = CKE = H ]
REFA命令启动自动刷新周期。产生刷新地址包括银行地址
在内部。该命令后，银行会自动预充电。
三菱电机
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