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DDR SDRAM
(Rev.1.44)
三月'02
三菱的LSI
M2S56D20 / 30 / 40ATP -75AL , -75A , -75L , -75 , -10L , -10
M2S56D20 / 30 / 40AKT -75AL , -75A , -75L , -75 , -10L , -10
256M双数据速率同步DRAM
从Vdd的平均电源电流
(大= 0 70
o
C, VDD = VDDQ = 2.5V + 0.2V , VSS = VSSQ = 0V ,输出开路,除非另有说明)
符号
参数/测试条件
组织
限制(最大)
-75A / -75
-10
85
75
单位
笔记
工作电流:一家银行;主动预充电;吨RC = T RC分钟;
IDD0吨CK = T CK分钟; DQ , DM和DQS输入每个时钟改变两倍
周期;地址和控制输入,每个时钟周期改变一次
工作电流:一家银行;主动读预充电;
IDD1突发= 2 ;吨RC = T RC分钟; CL = 2.5 ;吨CK = T CK分钟; IOUT = 0毫安;
地址和控制输入,每个时钟周期改变一次
IDD2P
预充电掉电待机电流:所有银行闲置;
掉电模式; CKE <VIL (MAX) ;吨CK = T CK MIN
所有
x4
x8
x16
所有
95
100
115
6
85
90
105
6
空闲待机电流: / CS > VIH ( MIN) ;所有银行闲置;
IDD2F CKE > VIH ( MIN) ;吨CK = T CK分钟;地址和其它控制输入
每个时钟周期改变一次
IDD3P
ACTIVE POWER- DOWN待机电流:一是银行主动;
掉电模式; CKE < VIL ( MAX) ;吨CK = T CK MIN
所有
30
25
所有
15
12
主动待机电流: / CS > VIH ( MIN) ; CKE > VIH ( MIN) ;一
银行;主动预充电;吨RC = T RAS MAX ;吨CK = T CK分钟; DQ , DM
IDD3N
和DQS输入两次改变每个时钟周期;地址和其他
控制输入每个时钟周期改变一次
工作电流:胸围= 2 ;读取;可连拍;一家银行
IDD4R活跃;地址和控制输入,每个时钟周期改变一次; CL = 2.5;
吨CK = T CK分钟; IOUT = 0 mA时
工作电流:胸围= 2 ;写;可连拍;一家银行
活跃;地址和控制输入,每个时钟周期改变一次;
IDD4W
CL = 2.5 ;吨CK = T CK分钟; DQ , DM和DQS输入两次改变每
时钟周期
IDD5自动刷新电流:吨RC = T RFC ( MIN )
IDD6
自刷新电流: CKE < 0.2V
所有
45
35
mA
x4
x8
x16
x4
x8
x16
所有
ALL(-75A/-75/-10)
ALL(-75AL/-75A/-10L)
x4
140
150
180
130
140
160
140
3
2
215
235
270
100
115
145
95
105
120
130
3
2
170
185
210
9
9,21
20
20
20
IDD7
工作电流,四银行操作:四个银行是交错
在配备BL = 4 ,请参阅注释20
x8
x16
交流工作条件和特点
(大= 0 70
o
C, VDD = VDDQ = 2.5V + 0.2V , VSS = VSSQ = 0V ,输出开路,除非另有说明)
符号
参数/测试条件
范围
分钟。
VREF + 0.31
VREF - 0.31
0.7
-5
-2
-16.8
16.8
VDDQ + 0.6
5
2
0.5 * VDDQ - 0.2 0.5 * VDDQ + 0.2
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
7
8
笔记
VIH ( AC )高电平输入电压( AC )
VIL ( AC )低电平输入电压( AC )
VID ( AC)输入差分电压, CLK和/ CLK
VIX ( AC)输入交叉点电压, CLK和/ CLK
IOZ
II
IOH
IOL
断态输出电流/ Q浮动VO = 0 VDDQ
输入电流/ VIN = 0 VDDQ
输出高电流( VOUT = VTT + 0.84V )
输出高电流( VOUT = VTT - 0.84V )
三菱电机
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