位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1615页 > M2S56D20ATP-75 > M2S56D20ATP-75 PDF资料 > M2S56D20ATP-75 PDF资料2第16页
DDR SDRAM （ Rev.1.0 ）
七月'01
初步
三菱的LSI
M2S56D20 / 30 / 40AKT
256 MD ouble ATA 吃了S ynchronous DRAM
绝对最大额定值
符号
VDD
VDDQ
VI
VO
IO
Pd
TOPR
TSTG
参数
电源电压
电源电压输出
输入电压
输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
TA = 25℃
o
条件
相对于VSS
相对于VSSQ
相对于VSS
相对于VSSQ
评级
-0.5 ~ 3.7
-0.5 ~ 3.7
-0.5 VDD + 0.5
-0.5 VDDQ + 0.5
50
1000
0 ~ 70
-65 ~ 150
单位
V
V
V
V
mA
mW
o
o
C
C
直流工作条件
（大= 0 70
o
C，除非另有说明）
符号
VDD
VDDQ
VREF
VIH （DC）的
VIL （DC）的
输入电压（DC）的
VTT
参数
电源电压
电源电压输出
输入参考电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电压电平， CLK和/ CLK
I / O终端电压
范围
分钟。
2.3
2.3
0.49*VddQ
VREF + 0.15
-0.3
-0.3
0.36
VREF - 0.04
典型值。
2.5
2.5
0.50*VddQ
马克斯。
2.7
2.7
0.51*VddQ
VddQ+0.3
VREF - 0.15
VDDQ + 0.3
VDDQ + 0.6
VREF + 0.04
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
笔记
5
VID （ DC ）输入差分电压， CLK和/ CLK
7
6
电容
（大= 0 70
o
C， VDD = VDDQ = 2.5V + 0.2V ， VSS = VSSQ = 0V ，除非另有说明）
符号
CI （ A）
CI （ C）
CI （ K）
CI / O
参数
输入电容，地址引脚
输入电容，控制引脚
输入电容， CLK引脚
I / O容量， I / O ， DQS ， DM引脚
测试条件
VI=1.25v
f=100MHz
VI=25mVrms
DELTA
单位
分钟。马克斯。第（最大）
2.0
2.0
2.0
4.0
3.0
3.0
3.0
5.0
0.25
0.50
0.50
pF
pF
pF
pF
范围
笔记
11
11
11
11
三菱电机
16
