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DDR SDRAM （ Rev.1.0 ）
七月'01
初步
三菱的LSI
M2S56D20 / 30 / 40AKT
256 MD ouble ATA 吃了S ynchronous DRAM
/ CLK
CLK
命令
地址
的DQ
DQ
CL = 2
BL = 4
/ CAS
潜伏期
Q0 Q1 Q2 Q3
D0 D1 D2 D3
读
Y
写
Y
BURST
长
BURST
长
初始地址
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
-
-
-
-
-
-
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
-
-
A0
0
1
0
1
BL
顺序
0
1
2
3
8
4
5
6
7
0
1
4
2
3
0
2
1
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
0
1
0
2
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7
0
1
2
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0
1
3
4
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1
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3
0
1
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5
6
7
0
1
2
3
5
6
7
0
1
2
3
4
列寻址
交错
6
7
0
1
2
3
4
5
7
0
1
2
3
4
5
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3
0
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3
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3
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5
2
3
0
1
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
三菱电机
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