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三菱的LSI
SDRAM （ Rev.3.2 ）
Feb.'00
M2V64S20DTP-6,-6L,-7,-7L,-8,-8L
M2V64S30DTP-6,-6L,-7,-7L,-8,-8L
M2V64S40DTP-6,-6L,-7,-7L,-8,-8L
（ 4 - X银行4,194,304 - WORD X
（ 4 - X银行2,097,152 - WORD X
4-BIT)
8-BIT)
（ 4 - X银行1,048,576 - WORD ×16位）
64M同步DRAM
DQ0-7
框图
I / O缓冲器
存储阵列
4096 x512 x8
电池阵列
存储阵列
4096 x512 x8
电池阵列
存储阵列
4096 x512 x8
电池阵列
存储阵列
4096 x512 x8
电池阵列
银行＃ 0
银行＃ 1
银行＃ 2
银行＃ 3
模式
注册
控制电路
地址缓冲器
时钟缓冲器
控制信号缓冲
A0-11
BA0,1
CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQM
注意：图中显示了M2V64S30DTP 。
该M2V64S20DTP CONFIGRATION是单元阵列和DQ 0-3 4096x1024x4 。
该M2V64S40DTP CONFIGRATION是单元阵列和DQ 0-15的4096x256x16 。
型号代码
这些规则只适用于同步DRAM家族。
M2 V 64号第3 0 D TP -8
访问项目
-6： 7.5ns （ PC133 3-3-3 ）
-7 ：为10ns （ PC100 2-2-2 ）
-8 ：为10ns （ PC100 3-2-2 ）
T P上：T已S 0 P（ II ）
D：第五代。
eserved供将来使用
2 : x4, 3 : x8, 4 : x16
P ackage牛逼YPE
P rocess代
功能
组织
同步DRAM
密度
接口
三菱DRAM
64 ： 64Mbit的
V
： LVT T L
三菱电机
3
