三菱的LSI

SDRAM （ Rev.3.2 ）

Feb.'00

M2V64S20DTP-6,-6L,-7,-7L,-8,-8L

M2V64S30DTP-6,-6L,-7,-7L,-8,-8L

M2V64S40DTP-6,-6L,-7,-7L,-8,-8L

（ 4 - X银行4,194,304 - WORD X

（ 4 - X银行2,097,152 - WORD X

4-BIT)

8-BIT)

（ 4 - X银行1,048,576 - WORD ×16位）

64M同步DRAM

初步

一些内容描述了用于一般的产品是

如有变更恕不另行通知ithout 。

描述

M 2V64S20DTP是4 X银行4,194,304字×4位，

M 2V64S30DTP是4 X银行2,097,152字×8位，

M 2V64S40DTP是4 X银行1,048,576字×16位，

同步DRAM ，与LVTTL接口。所有输入和输出都参考上升沿

的CLK 。 M 2V64S20DTP ，男2V64S30DTP和M 2V64S40DTP实现非常高速的数据传输速率可达

133MHz的为-6，并适用于主存储器或图形存储器中的计算机系统。

特点

M2V64S20/30/40DTP

项

TCLK

tRAS的

tRCD的

TAC

TRC

Icc1

时钟圈T IME

主动到预充电命令期

行到列延迟

从CLK访问时间

REF /主动命令时期

工作电流

（ MAX 。 ）

（单银行）

（分）

（分）

（分）

（最大值） （ CL = 3 ）

（分）

V64S20D

V64S30D

V64S40D

Icc6

自刷新电流

（ MAX 。 ）

-6

7.5ns

45ns

20ns

5.4ns

67.5ns

75mA

75mA

85mA

1mA

-7

10ns

50ns

20ns

6ns

70ns

70mA

70mA

80mA

1mA

-8

10ns

50ns

20ns

6ns

70ns

70mA

70mA

80mA

1mA

- 单3.3V ± 0.3V电源

- 最大。时钟频率-6： 133MHz<3-3-3> ， -7 ： 100MHz<2-2-2> ， -8 ： 100MHz<3-2-2>

- 完全同步操作参考时钟上升沿

- 由BA0 & BA1控制的4个银行工作（银行地址）

- / CAS延时： 2和3 （可编程）

- 突发长度 - 1，2， 4，8和全页（可编程）

- 突发类型 - 顺序和交错（可编程）

- 字节控制 - DQM L和DQMU的M2V64S40DTP

- 随机接入列

- 自动预充电和所有银行预充电用A10的控制

- 自动刷新和自刷新

- 4096刷新周期每64毫秒

- LVTTL接口

- 400万， 54引脚薄型小尺寸封装（ TSOP II ） ，具有0.8mm引脚间距

三菱电机

1