位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1253页 > M34C02-LDW6T > M34C02-LDW6T PDF资料 > M34C02-LDW6T PDF资料1第6页
M34C02
图5.如何设置写保护
FFH
标准
ARRAY
内存
区域
标准
ARRAY
00h
默认的EEPROM存储器区
之前写访问状态
在保护注册
80h
7Fh
标准
ARRAY
写
保护
ARRAY
FFH
80h
7Fh
00h
EEPROM存储器状态
经过写访问区域
在保护注册
AI01936C
在非写保护区图6.写模式序列
确认
字节写
开始
DEV SEL
读/写
确认
页写
开始
DEV SEL
读/写
确认
数据的N
停止
确认
确认
IN 1数据
确认
DATA IN
停止
确认
IN 2数据
BYTE ADDR
AI01941
确认
BYTE ADDR
仅显著位）被递增。转移是
由主产生STOP终止
条件。
当主机产生一个停止条件
之后的ACK位（在“ 10
th
位“时间
插槽） ，或者在一个字节写入或页底
写，则内部存储器的写周期被触发。
在其他任何时间停止条件不
触发内部写周期。
在内部写周期，将SDA输入是
在内部禁用，并且设备不
响应任何请求。
最大限度地减少系统延迟投票站在ACK
在内部写周期，存储器
从总线，并复制自身断开
从它的内部锁存到所述存储器单元中的数据。
最大写入时间（t
w
）示于表9中，
但是典型的时间更短。为了使这个应用，
的Ack轮询序列可用于通过
高手。
6/19
