M34C02
图2A 。 DIP连接
图2B中。 SO和TSSOP连接
M34C02
E0
E1
E2
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
AI01932
M34C02
VCC
WC
SCL
SDA
E0
E1
E2
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
AI01933
VCC
WC
SCL
SDA
记忆变成永久写保护。
必须小心使用这个序列时，可以采取
其效果不能颠倒。此外，该
设备使得整个内存区域是写
的保护，通过使用WC输入（例如
tieing这个输入到V
CC
).
在M34C02是一个2千位的电可擦除亲
可编程存储器（EEPROM ） ，组织成
256x8位，制造与意法半导体'
高耐用性，先进的CMOS工艺。
这保证了续航能力通常很好
以上百万擦除/写周期，数据
保留40年。这些存储设备
有电源下工作， 2.2 V的
M34C02-L.
该M34C02是塑料双列直插可用，
塑料小外形和超薄紧缩小型
外形封装。
这些存储器设备与兼容
I
2
C内存标准。这是一个两线串行
表2.绝对最大额定值
1
符号
T
A
T
英镑
T
领导
V
IO
V
CC
V
ESD
参数
工作环境温度
储存温度
焊接温度焊接过程中
输入或输出范围
电源电压
接口，它使用一个双向数据总线和
串行时钟。该存储器带有一个内置的4位
设备类型标识代码（ 1010）根据
与我
2
C总线定义访问存储器
区和第二设备类型标识代码
（ 0110 ）来访问保护寄存器。这些
码一起使用3芯片使能
输入端（E2 ，E1 E0 ），使得多达8 2千比特
设备可以连接到IC总线和
单独选择。
内存表现为在I从站设备
2
C
协议中，所有的内存操作同步
由串行时钟。读取和写入操作
通过启动条件启动，通过所产生的
总线主控器。启动条件之后是
设备选择的代码和RW位（如描述
表3 ） ，一个应答位终止。
当将数据写入存储器，存储器
插入9时应答位
th
位时，
继总线主控器的8位传输。
价值
-40到85
-65到150
PSDIP8 ： 10秒
SO8 ： 40秒
TSSOP8 ： 40秒
260
215
215
-0.6 6.5
-0.3 6.5
4000
单位
°C
°C
°C
V
V
V
静电放电电压（人体模型）
2
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅ST SURE计划和其他有关质量文件。
2. MIL -STD- 883C ， 3015.7 （ 100 pF的， 1500
)
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