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三菱的LSI
M5M44260CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
写周期（早期写和延迟写入）
范围
符号
t
WC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
WCS
t
WCH
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
OEH
写周期时间
RAS的低脉冲宽度
CAS低脉冲宽度
CAS RAS低后保持时间
RAS CAS低后保持时间
写CAS低之前建立时间
写CAS低后保持时间
CAS后W低的保持时间
RAS后W低的保持时间
把脉冲宽度
数据建立时间之前CAS低或W低
CAS后低或W低数据保持时间
后W低OE保持时间
参数
M5M44260C -5， -5S M5M44260C -6， -6S M5M44260C -7， -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（注23 ）
民
90
50
13
50
13
0
8
13
13
8
0
8
13
最大
10000
10000
民
110
60
15
60
15
0
10
15
15
10
0
10
15
最大
10000
10000
民
130
70
20
70
20
0
15
20
20
15
0
15
20
最大
10000
10000
读 - 写和读 - 修改 - 写周期
范围
符号
t
RWC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
RCS
t
CWD
t
RWD
t
AWD
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
OEH
参数
读取写入/读取 - 修改 - 写周期时间
RAS的低脉冲宽度
CAS低脉冲宽度
CAS RAS低后保持时间
RAS CAS低后保持时间
阅读设置时间CAS前低
延迟时间CAS低为W低
延迟时间， RAS低为W低
延迟时间，地址为W低
CAS后W低的保持时间
RAS后W低的保持时间
把脉冲宽度
数据建立时间之前CAS低或W低
CAS后低或W低数据保持时间
后W低OE保持时间
（注22 ）
M5M44260C -5， -5S M5M44260C -6， -6S M5M44260C -7， -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
126
86
49
86
49
0
31
68
43
13
13
8
0
8
13
最大
10000
10000
民
150
100
55
100
55
0
35
80
50
15
15
10
0
10
15
最大
10000
10000
民
180
120
70
120
70
0
45
95
60
20
20
15
0
15
20
最大
10000
10000
（注23 ）
（注23 ）
（注23 ）
注22 ：
t
RWC
被指定为
t
RWC （分钟）
=
t
RAC的（最大）
+
t
ODD （分钟）
+
t
RWL （分钟）
+
t
RP （分钟）
+4
t
T
.
23:
t
WCS
,
t
CWD
,
t
RWD
和
t
AWD
和
t
CPWD
被指定为唯一的参照点。如果
t
WCS
≥
t
WCS （分钟）
该循环是一个早期的写周期和DQ管脚
将保持高阻抗在整个周期。如果
t
CWD
≥
t
CWD （分钟）
,
t
RWD
≥
t
RWD （分钟）
,
t
AWD
≥
t
AWD （分钟）
和
t
CPWD
≥
t
CPWD （分钟）
（只用于快速页面模式的周期） ，周期是一个读 - 修改 - 写周期和DQ将包含从所选择的地址读取数据。
如果没有的DQ的上述条件（延迟写入）（在存取时间和直到CAS或OE返回到V
IH
）是不确定的。
6
M5M44260CJ ， TP - 5 ， -5S ：开发中
