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三菱的LSI
M5M44260CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
电容
（大= 0 70°C ，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明）
符号
C
I（A ）
C
我（CLK）
C
I / O
参数
输入电容，输入地址
输入电容，时钟输入
输入/输出电容，数据端口
测试条件
V
I
=V
SS
f=1MHz
V
I
=25mVrms
民
范围
典型值
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
开关特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 5V ± 10％ ， VSS = 0V时，除非另有说明，注释6,13,14 ）
范围
符号
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
注册会计师
t
OEA
t
CLZ
t
关闭
t
OEZ
参数
从CAS访问时间
从RAS访问时间
Columu地址访问时间
从CAS预充电时间访问
从OE访问时间
中国科学院低输出低阻抗时间
经过CAS高输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
（注7,8）
（注7,9 ）
（注7,10 ）
（注7,11 ）
（注7 ）
（注7 ）
（注12 ）
（注12 ）
M5M44260C -5， -5S M5M44260C -6， -6S M5M44260C -7， -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
最大
13
50
25
30
13
13
13
民
最大
15
60
30
35
15
15
15
民
最大
20
70
35
40
20
20
20
5
5
5
注6： 500微秒的初始暂停电后接着是最小的8初始化周期（RAS -只刷新或CAS RAS的刷新之前，需要
周期）。
需要注意的RAS可能在初始暂停期间进行循环。和图8的初始化周期是必需的RAS的长时间（大于8.2ms ）后
器件正常工作之前不活动的实现。
7 ：衡量一个负载电路等效于2TTL负载和100pF的。
8 ：假设
t
RCD
≥
t
RCD （最大）
和
t
ASC
≥
t
ASC （最大）
.
9 ：假设
t
RCD
≤
t
RCD （最大）
和
t
拉德
≤
t
RAD （最大值）
。如果
t
RCD
or
t
拉德
大于该表中所示的最大推荐值
t
RAC
将金额增加了
t
RCD
超出显示的值。
10 ：假设
t
拉德
≥
t
RAD （最大值）
和
t
ASC
≤
t
ASC （最大）
.
11 ：假设
t
CP
≤
t
CP（ MAX）的
和
t
ASC
≥
t
ASC （最大）
.
12:
t
关（ MAX）的
和
t
OEZ （最大）
限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间（我
OUT
≤
±10 μA） ，而不是引用到V
OH （分钟）
或V
OL （最大）
.
4
M5M44260CJ ， TP - 5 ， -5S ：开发中
