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特定网络阳离子
SDCLK
1
CS
3
2
RAS
6
CAS
WE
4
ADDR
5
7
COL / BA
8
DQ
数据
9
/ BA
ROW / BA
DQM
图47. SDRAM写周期时序图
表27. SDRAM写时序参数表
REF
号
1
2
3
4
5
6
7
1.8
± 0.1 V
参数
最低
SDRAM时钟高电平宽度
SDRAM时钟低电平宽度
SDRAM时钟周期时间
地址建立时间
地址保持时间
预充电周期
1
激活到读/写命令延迟
2.67
6
11.4
3.42
2.28
t
RP2
t
RCD2
最大
–
–
–
–
–
–
–
最低
4
4
10
3
2
t
RP2
t
RCD2
最大
–
–
–
–
–
–
–
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3.0 ± 0.3 V
单位
MC9328MXS超前信息，牧师0
58
飞思卡尔半导体公司
