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飞思卡尔半导体公司
电气和热特性
表6功率耗散
核心供电（ VDD_CORE ）
SYS_XTAL / XLB / PCI / IPG / CORE （兆赫）
SpecID
模式
33/66/33/33/264
典型值
操作
打瞌睡
觉
727.5
—
—
—
52.5
33/132/66/132/396
典型值
1080
600
225
225
52.5
mW
mW
mW
mW
mW
1 2
单位
笔记
,
D5.1
D5.2
D5.3
D5.4
D5.5
1
,
3
1 4
,
,
,
飞思卡尔半导体公司...
睡觉
深度睡眠
1 5
1 6
PLL电源（ SYS_PLL_AVDD ， CORE_PLL_AVDD ）
模式
典型
典型值
2
卸载I / O电源（ VDD_IO ， VDD_MEM_IO
8
)
模式
典型
1
2
3
4
5
6
7
8
9
单位
mW
笔记
7
D5.6
典型值
33
单位
mW
笔记
9
D5.7
典型的核心功率测量VDD_CORE = 1.5 V， TJ = 25℃
当运行一个完全缓存驻留程序与浮点乘法运算功率测量
在并行指令通过BestComm连续PCI交易。
打盹功率测量与G2_LE核心的打盹模式下，系统振荡器， PLL系统和Core是PLL
活性，所有其他系统模块处于非活动状态
午睡功率测量在打盹模式G2_LE核心，干振荡器，锁相环系统和核心PLL已得到认可
略去，所有其他系统模块处于非活动状态
睡眠功率测量与G2_LE核心处于休眠模式时，干振荡器，锁相环系统和核心PLL被
活性，所有其他系统模块处于非活动状态
深度睡眠电源测量与G2_LE核心处于休眠模式时，干振荡器， PLL系统，核心PLL
与所有其他系统模块处于非活动状态
典型的PLL功率测量SYS_PLL_AVDD = CORE_PLL_AVDD = 1.5 V， TJ = 25℃
表中给出的IO电源的数字代表了最坏的情况。对于mem_io导轨连接到2.5V的
的IO电源预计是低和由最坏的情况下以VDD_MEM_IO连接到3.3V的范围内。
卸载典型的I / O电源在VDD_IO = VDD_MEM_IO测量深度睡眠模式
SDR
= 3.3 V ， TJ = 25℃
摩托罗拉
MPC5200硬件规格
9
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