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飞思卡尔半导体公司
电气和热特性
3.1.4静电放电
- C A U牛逼IO N -
该器件包含电路，防止损坏，由于高静电压
或电场。然而，应当注意，正常的采取预防措施，以避免
应用比最大额定电压更高的电压。运行可靠性
增强，如果未使用输入连接到一个适当的逻辑电平（即，无论是
GND或V
CC
).
表7
使封装的热特性该设备。
表5 ESD和闩锁保护特性
符号
等级
民
2000
200
500
+100
-100
+200
-200
最大
—
—
—
—
单位
V
V
V
mA
D4.5
—
mA
SpecID
D4.1
D4.2
D4.3
D4.4
V
HBM
人体模型（ HBM ） -JEDEC JESD22 - A114 -B
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V
MM
机器模型（ MM ） -JEDEC JESD22- A115
V
清洁发展机制
充电设备模型（ CDM） -JEDEC JESD22- C101
I
LAT
闩锁电流在T
A
=85
o
C
积极
负
闩锁电流在T
A
=27
o
C
积极
负
I
LAT
3.1.5功耗
在MPC5200的功耗是由3个不同的部分组成：内部的散热或
核心的数字逻辑（由VDD_CORE提供） ，该模拟电路的耗散（由供给
SYS_PLL_AVDD和CORE_PLL_AVDD ）和IO逻辑的耗散（由VDD_IO_MEM供给
和VDD_IO ） 。
表6
详细典型测量的核心和模拟功耗数字的范围
操作模式。然而，由于IO引脚的开关损耗，不能在一般给出
但是，必须通过为每个应用程序的情况下，用户使用下面的公式来计算
P
IO
= P
IOINT
+
∑
N
×
C
×
VDD_IO
×
f
2
M
其中N是输出管脚在一组M个开关的数目， C是每个引脚的电容， VDD_IO是
IO的电压摆幅， f是开关频率和PIOint是由卸载的IO阶段消耗的功率。
在MPC5200处理器的总功耗
P
总
= P
CORE
+ P
类似物
+ P
IO
不得超过该值，这将导致超过最高结温。
8
MPC5200硬件规格
摩托罗拉
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