8Mb
SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
命令集
为了简化写入存储器块，所述
MT28F800B5和MT28F008B5结合的ISM
控制所有的内部算法进行写入和
擦除的浮置栅极存储单元。一个8位的COM
命令集是用于控制该设备。如何详细
要在命令提供了命令序列
执行部。表1列出了有效的命令。
在写入，擦除，擦除暂停或状态寄存器读
模式下，读状态寄存器（ 70H ）可以发出
查看状态寄存器的内容。
所有定义的比特由在ISM设置，但是只有
在ISM和擦除挂起状态位被重置
ISM 。擦除，写入和V
PP
状态位必须是
使用清除状态寄存器清零。如果在V
PP
台站
土族位（ SR3 ）被设置时，对CEL不允许进一步的写
或擦除操作，直到状态寄存器清零。
这使得用户能够选择何时轮询和清晰
状态寄存器。例如，主机系统可
之前执行多个字节写操作
检查状态寄存器，而不是经过检查
每个人写。断言RP ＃信号或
设备断电也清除状态寄存器
之三。
ISM状态寄存器
8位的ISM状态寄存器（见表2）进行轮询
检查写或擦除或完成任何
相关的错误。期间或之后一写，擦除或
擦除挂起，读操作输出状态
登记在DQ0 - DQ7内容未经事先的COM
命令。而状态寄存器内容被读出，
如果有在ISM改变输出不更新
状态，除非OE ＃或CE ＃被触发。如果该设备是不
表2：
状态
位＃
SR7
状态寄存器
状态寄存器位
ISM状态
1 =就绪
0 =忙
擦除挂起状态
1 =擦除暂停
0 =擦除/已完成
擦除状态
1 =块擦除错误
0 =成功的块擦除
写状态
1 =字/字节写入错误
0 =成功字/字节写
V
PP
状态
1 =无V
PP
电压检测
0 = V
PP
现
版权所有
描述
在ISMS位显示状态机的工作状态
写或块擦除操作。该控制逻辑民调此位
以确定何时擦除和写入状态位是有效的。
发出擦除挂起的地方在暂停模式的ISM和
设置此和ISMS的位为“1” ESS的位保持为“1” ，直到一个
删除恢复发放。
ES被设置为“1”，则执行擦除周期的最大数目后
由没有成功的ISM验证。 ES只能通过清除清除
状态寄存器命令或复位后。
WS是后写周期的最大数目设置为“ 1”的
通过ISM没有成功验证执行。 WS仅由一个清
清除状态寄存器命令或复位后。
V
PP
S检测为V的存在
PP
电压。它不监视V
PP
连续地，也没有指示有效V
PP
电压。在V
PP
引脚
取样5V写或擦除CONFIRM发出后。 V
PP
s必须是
通过清除状态寄存器或复位清零。
留作将来使用。
SR6
SR5
SR4
SR3
SR0-2
8MB智能5引导块闪存
MT28F800B5_3.fm - 修订版3 ，酒吧。 8/2002
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2002年，美光科技公司
