4Mb
SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
功能说明
该MT28F004B5和MT28F400B5闪存
集成了大量的功能非常适合
系统固件。存储器阵列被分割为
个别擦除块。每个块可以被擦除
而不会影响存储在其它块中的数据。这些
读取，写入和擦除的COM内存块
mands到命令执行逻辑（ CEL） 。在CEL
控制内部状态机的操作
（ ISM），它完全控制所有的写入，块
擦除和验证操作。在ISM保护每个
存储单元过度擦除和优化每一个
为最大的数据保留存储器位置。此外
化，在ISM大大简化了必要的控制
用于写入装置的系统内或在外部
程序员。
功能描述提供了详细的Infor公司
息上的MT28F004B5的操作和
MT28F400B5并分为以下部分：
概观
内存架构
输出（读取）操作
投入运营
命令集
ISM状态寄存器
命令执行
错误处理
写/擦除周期耐力
电源使用
上电
在RP ＃引脚或驾驶WP ＃引脚为高电平。其中的一个
两个条件必须沿着与V存在
PP
电压
在V （ 5V或12V ）
PP
脚前写入或擦除会
在引导块上执行。剩余的块
要求只有在V
PP
电压出现在V
PP
引脚写入或擦除之前。
硬件保护BOOT BLOCK
存储器阵列的这个块可以被擦除或
只写了当RP ＃引脚采取V
HH
或者当
在WP ＃引脚拉高。这提供了额外的
期间在系统固件内的安全性为核心固件
洁具更新应该是无意的功率波动
化或系统复位时。该MT28F004B5和
MT28F400B5可与引导块起点
在地址空间（“B”后缀）的底部或顶部
的地址空间（“T”后缀） 。
可选的总线宽度（ MT28F400B5只）
该MT28F400B5允许选择一个8位的
（ 512K ×8）或16位（ 256K ×16）的数据总线，用于读出和
写入存储器。将BYTE ＃引脚用于选择
总线宽度。在x16的配置中，控制数据被读出
或只写上的低8位（ DQ0 - DQ7 ） 。
数据写入到存储器阵列采用了所有有效
数据引脚选择配置。当X8
被选择的配置中，数据被写在字节表
当选择了x16的配置中，数据被写入
在Word表格。
内部状态机（ ISM ）
块擦除和字节/字写时间是
简化的ISM控制所有擦除和写入
算法的存储器阵列中。在ISM确保可靠
防止过度擦除和写入优化
缘到每个小区。
在写操作时，会自动ISM
增量和显示器WRITE尝试，验证写
缘上的每个存储单元和更新在ISM状态
注册。当块擦除完成时， ISM
自动覆盖整个寻址块
（避免过度擦除） ，增量和显示器
ERASE的尝试，并在ISM状态寄存器组中的位。
ISM状态寄存器
在ISM状态寄存器允许外部处理器
写在监视ISM的状态和
擦除操作。二位8位状态寄存器的
被设置并且完全由ISM清零。这些位
表明ISM是否忙于写或
ERASE任务，当ERASE已经暂停。
其他错误信息被设置在其他三位：
V
PP
状态，写状态和擦除状态。
概观
5智能科技（ B5 ）
5智能技术允许最大的灵活性
在系统读，写和擦除操作。对于5V
只有系统写入和擦除操作可能
与V执行
PP
电压为5V 。由于工艺
技术的进步， 5V V
PP
是最佳的应用
生产编程。为了向后相容
ibility与SmartVoltage技术， 12V V
PP
被抑制
移植最长为100个周期，并且可以是
连接长达100小时的累计。不过，
没有业绩增长将得以实现。对于任何操作
化，V
CC
可在5V 。
7个可独立擦除存储器
块
该MT28F004B5和MT28F400B5组织
为七个独立可擦除存储器块
允许的存储器的部分，而不被删除
影响存储器的数据的其余部分。一个特殊的引导
块的硬件保护，防止意外era-
确认或书面要求在任一超电压
4MB的智能5引导块闪存
F44_B.p65 - 修订版7/02
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2002年，美光科技公司
