4Mb
SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
真值表（ MT28F004B5 ）
1
功能
待机
RESET
读
读
输出禁用
删除设置
擦除确认
3
写设置
写
4
读阵列
5
写/擦除（ BOOT BLOCK ）
2, 7
删除设置
擦除确认
3
擦除确认
3, 6
写设置
写
4
写
4, 6
读阵列
5
设备Identi科幻阳离子
8, 9
制造商的兼容性
设备（顶部引导）
设备（底部启动）
注意：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
RP ＃
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
V
HH
H
H
V
HH
H
H
H
H
H
CE＃
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
OE ＃
X
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
WE＃
X
X
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
WP ＃
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
X
X
H
X
X
X
X
A0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
H
A9
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
ID
V
ID
V
PP
X
X
X
X
X
V
PPH
X
V
PPH
X
X
V
PPH
V
PPH
X
V
PPH
V
PPH
X
X
X
X
DQ0-DQ7
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
20H
D0H
10H/40H
数据在
FFH
20H
D0H
D0H
10H/40H
数据在
数据在
FFH
89H
78H
79H
写/擦除（除引导块）
2
L = V
IL
，H = V
IH
，X = V
IL
或V
IH
.
V
PPH
= V
PPH1
= 5V.
操作之前必须先擦除设置命令。
操作之前必须先写SETUP命令。
读阵列写入或擦除后之前，必须发出读阵列命令。
当WP ＃ = V
IH
， RP ＃可能是在V
IH
或V
HH
.
V
HH
= 12V.
V
ID
= 12V ;也可以通过发出IDENTIFY DEVICE命令读取。
A1 -A8 ， A10 ， A18 = V
IL
.
4MB的智能5引导块闪存
F44_B.p65 - 修订版7/02
6
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2002年，美光科技公司
