4Mb
SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
速度相关的写/擦除AC时序特性及
建议使用的工作条件： CE ＃ -CONTROLLED WRITES
商用温度（ 0℃
≤
T
A
≤
+ 70°C ）和扩展级温度（ -40℃
≤
T
A
≤
+ 85C ） ; V
CC
= + 5V ± 10％
+5V ±5%
AC特性
参数
地址建立时间CE＃高
从CE ＃高地址保持时间
数据建立时间CE＃高
数据保持时间从CE＃高
WE＃建立时间CE＃低
WE＃保持时间从CE＃高
V
PP
建立时间CE＃高
RP ＃高到CE＃低时延
RP ＃在V
HH
或WP ＃高建立时间CE＃高
写持续时间（字或字节写入）
引导块擦除时间
参数块擦除时间
主块擦除时间
CE＃高到忙碌状态（ SR7 = 0 ）
V
PP
持有状态数据有效时间
RP ＃在V
HH
或WP ＃从状态数据有效高电平保持时间
引导块重新锁定延迟时间
-6 / -8 / -8 ET
民
最大
50
0
50
0
0
0
200
500
100
6
300
300
600
200
0
0
100
符号
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WS
t
WH
t
VPS1
t
RS
t
RHS
t
WED1
t
WED2
t
WED3
t
WED4
t
WB
t
VPH
t
RHH
t
REL
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ms
ms
ms
ns
ns
ns
ns
笔记
1
2
3
2, 3
3
3
4
3
2
5
字/字节写和擦除特性期限
参数
启动/参数块擦除时间
主要的块擦除时间
主要区块写时间（字节模式）
主要区块写时间（字模式）
注意：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
典型值最大值单位备注
0.5
1.5
1
1
7
14
–
–
s
s
s
s
6
6
6, 7, 8
6, 7, 8
与V测
PP
= V
PPH1
= 5V.
RP ＃应在V举行
HH
或WP ＃保持高电平，直到引导区写入或擦除完成。
写/擦除次数进行测量，以有效的状态寄存器的数据（ SR7 = 1）。
查询状态寄存器之前
t
WB满足可能会错误地显示写入或擦除完成。
t
REL是必需的写操作后重新锁定引导块擦除或引导块。
在T测得的典型值
A
= +25°C.
不承担任何系统开销。
典型的写次使用的棋盘数据模式。
4MB的智能5引导块闪存
F44_B.p65 - 修订版7/02
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2002年，美光科技公司
