4Mb
SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
字节宽的读周期
1
V
IH
(A - 1)–A17/(A18)
V
IL
有效的地址
TRC
TAA
V
IH
CE＃
V
IL
TACE
V
IH
OE ＃
V
IL
V
IH
WE＃
V
IL
TOD
TAOE
V
IH
DQ0–DQ7
V
IL
有效数据
TOH
V
IH
DQ8–DQ14
2
V
IL
高-Z
TRWH
V
IH
RP ＃
V
IL
不在乎
未定义
时序参数
商用温度（ 0℃
≤
T
A
≤
+70°C)
扩展温度（ -40°C
≤
T
A
≤
+85°C)
-6
符号
t
RC
3
t
RC
4
t
ACE
3
t
ACE
4
t
AOE
3
t
AOE
4
t
AA
3
民
70
60
最大
-8 / -8 ET
民
最大
80
–
80
–
40
–
80
-6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
t
AA
4
t
RWH
3
t
RWH
4
t
OD
3
t
OD
4
t
OH
3
t
OH
4
-8 / -8 ET
最大
60
500
500
20
15
民
最大
–
500
–
20
–
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
70
60
35
30
70
0
0
0
–
注意：
1.
2.
3.
4.
BYTE ＃ =低（仅MT28F400B5 ） 。
仅适用于MT28F400B5 。
在测量交流测试条件1 ，V测试
CC
= 5V ±10%.
在测量交流测试条件2 ，V测试
CC
= 5V ±5%.
4MB的智能5引导块闪存
F44_B.p65 - 修订版7/02
22
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2002年，美光科技公司
