HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
初步数据
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
IXFH16N90
IXFX16N90
V
DSS
= 900 V
I
D25
= 16 A
R
DS （
on
)
= 0.65
W
t
rr
200纳秒
最大额定值
900
900
±20
±30
16
64
16
45
5
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
1.13/10
6
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
的TO- 247的AD
（ IXFH ）
（ TAB ）
PLUS 247
TM
（ IXFX ）
G
C（ TAB ）
D
特点
l
l
l
l
l
l
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
900
2.0
4.5
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
25
250
0.65
V
V
nA
A
A
l
l
l
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
l
l
l
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流电动机的控制
温度和照明控制
优势
l
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
l
l
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）或
安装夹或弹簧（ PLUS 247
TM
)
节省空间
高功率密度
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