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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第949页 > IXFX16N90
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
高dv / dt ,低吨
rr
, HDMOS
TM
家庭
初步数据
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
安装力矩
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 2
T
C
= 25°C
IXFH16N90
IXFX16N90
V
DSS
= 900 V
I
D25
= 16 A
R
DS (
on
)
= 0.65
W
t
rr
200纳秒
最大额定值
900
900
±20
±30
16
64
16
45
5
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
1.13/10
6
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
的TO- 247的AD
( IXFH )
( TAB )
PLUS 247
TM
( IXFX )
G
C( TAB )
D
特点
l
l
l
l
l
l
国际标准封装
低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
900
2.0
4.5
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
25
250
0.65
V
V
nA
A
A
l
l
l
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
l
l
l
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流电动机的控制
温度和照明控制
优势
l
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
l
l
易与1螺钉安装( TO- 247 )
(隔绝安装螺纹孔)或
安装夹或弹簧( PLUS 247
TM
)
节省空间
高功率密度
版权所有1998 IXYS所有权利。
97547(2/98)
IXFH 16N90
IXFX 16N90
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
6
10
4500
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
430
150
27
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
(外部)
30
120
30
220
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
30
85
0.35
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
端子: 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
AD TO- 247 ( IXFH )大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
1
2
3
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / μs的,
V
R
= 100 V
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
16
64
1.5
A
A
V
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
PLUS 247
TM
概要
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1
2
10
15
200 N s个
350 N s个
C
C
A
A
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXFX16N90
    -
    -
    -
    -
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电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
IXFX16N90
IXYS
24+
2177
MODULE
公司大量 现货随时可以发货
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IXFX16N90
IXYS
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
IXFX16N90
IXY
14+
56000
DIP
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
IXFX16N90
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9302
贴◆插
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联系人:刘先生
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联系人:吴小姐
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联系人:江先生
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