TC55W800XB7,8
写周期2 （
CE1
控制）
（见注4 ）
t
WC
地址
A0~A18
t
AS
读/写
t
CW
CE1
t
WP
t
WR
t
CW
CE2
t
BW
UB
，磅
t
BE
D
OUT
I/O1~16
高阻
t
ODW
高阻
t
DS
t
DH
t
COE
D
IN
I/O1~16
（见注5 ）
有效的数据在
写周期3 （ CE2控制）
（见注4 ）
t
WC
地址
A0~A18
t
AS
读/写
t
CW
CE1
t
WP
t
WR
t
CW
CE2
t
BW
UB
，磅
t
BE
D
OUT
I/O1~16
高阻
t
ODW
高阻
t
DS
t
DH
t
COE
D
IN
I/O1~16
（见注5 ）
有效的数据在
2001-10-03
8/12
