TC55W800XB7,8
暂定
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
524,288 - WORD 16位全CMOS静态RAM
描述
该TC55W800XB是由16位组织为524288字8388608位的静态随机存取存储器（SRAM） 。
采用东芝的CMOS硅栅工艺技术制造，该设备从一个单一的2.3 3.3 V工作
电源。先进的电路技术以3的运转电流同时提供高速和低功耗
毫安/ MHz和70 ns的最小循环时间。 0.5它会自动放置在低功耗模式
A
待机
电流（在V
DD
=
3 V ，TA
=
25 ° C，最大值）时，芯片使能（ CE1 ）为高电平或（ CE2 ）被置为低电平。
有三个控制输入。 CE1和CE2分别用于选择设备和用于数据保持控制，并
输出使能（ OE ）提供了快速内存访问。数据字节控制引脚（ LB ， UB ）提供了下限和上限字节
访问。该装置非常适合于各种微处理器系统的应用中高速，低功耗和
备用电池是必需的。并且，随着一个工作保证极端温度范围
40°
至85℃ ，在
TC55W800XB可以在表现出极端的温度条件下的环境中使用。该TC55W800XB是
可在一个塑料48球BGA封装。
特点
低功耗
操作： 9.9毫瓦/兆赫（典型值）
2.3 3.3 V单电源电压
使用CE1和CE2关机功能
1.5 3.3 V数据保持电源电压
所有的输入和输出直接TTL兼容
宽工作温度范围
40°
至85℃
待机电流（最大） ：
3.3 V
3.0 V
10
A
5
A
访问时间（最大值V
DD
=
2.7 3.3 V ） ：
TC55W800XB
7
存取时间
CE1
存取时间
8
85纳秒
85纳秒
85纳秒
45纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
35纳秒
CE2访问时间
OE
存取时间
包装：
P- TFBGA48-0811-0.75AZ （重量： 0.21克典型值）
引脚分配
（ TOP VIEW ）
48引脚BGA
1
A
B
LB
I/O9
2
OE
UB
引脚名称
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE1
6
CE2
I/O1
I/O3
V
DD
V
SS
I/O7
I/O8
NC
A0~A18
CE1
， CE2
地址输入
芯片使能
读/写控制
OUTPUT ENABLE
数据字节控制
数据输入/输出
动力
地
无连接
读/写
OE
C I / O10 I / O11
D
E
V
SS
V
DD
I/O12
I/O13
I/O2
I/O4
I/O5
I/O6
读/写
A11
磅，
UB
I/O1~I/O16
V
DD
GND
NC
F I / O15 I / O14
G I / O16
H
A18
NC
A8
2001-10-03
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