【TC55W800XB7,8暂定东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS524,288 - WORD 16位】,IC型号TC55W800XB8,TC55W800XB8 PDF资料,TC55W800XB8经销商,ic,电子元器件-51电子网

TC55W800XB7,8

暂定

东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS

524,288 - WORD 16位全CMOS静态RAM

描述

该TC55W800XB是由16位组织为524288字8388608位的静态随机存取存储器（SRAM）。

采用东芝的CMOS硅栅工艺技术制造，该设备从一个单一的2.3 3.3 V工作

电源。先进的电路技术以3的运转电流同时提供高速和低功耗

毫安/ MHz和70 ns的最小循环时间。 0.5它会自动放置在低功耗模式

A

待机

电流（在V

DD

=

3 V ，TA

=

25 ° C，最大值）时，芯片使能（ CE1 ）为高电平或（ CE2 ）被置为低电平。

有三个控制输入。 CE1和CE2分别用于选择设备和用于数据保持控制，并

输出使能（ OE ）提供了快速内存访问。数据字节控制引脚（ LB ， UB ）提供了下限和上限字节

访问。该装置非常适合于各种微处理器系统的应用中高速，低功耗和

备用电池是必需的。并且，随着一个工作保证极端温度范围

40°

至85℃ ，在

TC55W800XB可以在表现出极端的温度条件下的环境中使用。该TC55W800XB是

可在一个塑料48球BGA封装。

特点

低功耗

操作： 9.9毫瓦/兆赫（典型值）

2.3 3.3 V单电源电压

使用CE1和CE2关机功能

1.5 3.3 V数据保持电源电压

所有的输入和输出直接TTL兼容

宽工作温度范围

40°

至85℃

待机电流（最大）：

3.3 V

3.0 V

10

A

5

A

访问时间（最大值V

DD

=

2.7 3.3 V ）：

TC55W800XB

7

存取时间

CE1

存取时间

8

85纳秒

45纳秒

70纳秒

35纳秒

CE2访问时间

OE

存取时间

包装：

P- TFBGA48-0811-0.75AZ （重量： 0.21克典型值）

引脚分配

（ TOP VIEW ）

48引脚BGA

1

A

B

LB

I/O9

2

OE

UB

引脚名称

3

A0

A3

A5

A17

NC

A14

A12

A9

4

A1

A4

A6

A7

A16

A15

A13

A10

5

A2

CE1

6

CE2

I/O1

I/O3

V

DD

V

SS

I/O7

I/O8

NC

A0~A18

CE1

， CE2

地址输入

芯片使能

读/写控制

OUTPUT ENABLE

数据字节控制

数据输入/输出

动力

地

无连接

读/写

OE

C I / O10 I / O11

D

E

V

SS

V

DD

I/O12

I/O13

I/O2

I/O4

I/O5

I/O6

读/写

A11

磅，

UB

I/O1~I/O16

V

DD

GND

NC

F I / O15 I / O14

G I / O16

H

A18

NC

A8

2001-10-03

1/12

TC55W800XB7,8

框图

CE

A3

A6

A8

A9

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A17

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

I/O9

I/O10

I/O11

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

I/O16

V

DD

GND

存储单元阵列

2,048

×

256

×

16

(8,388,608)

行地址

卜FF器

行地址

注册

行地址

解码器

SENSE AMP

数据

产量

卜FF器

CE

A0 A1 A2 A4 A5 A7 A16 A18

I/O9~I/O16

产量

高-Z

输入

高-Z

数据

输入

卜FF器

列地址

解码器

列地址

注册

列地址

卜FF器

时钟

发电机

CE1

CE2

LB

UB

CE

读/写

OE

经营模式

模式

CE1

CE2

H

*

L

*

OE

读/写

H

L

H

*

LB

L

H

L

H

L

*

H

UB

I/O1~I/O8

产量

高-Z

产量

输入

高-Z

输入

高-Z

数据

产量

卜FF器

数据

输入

卜FF器

动力

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDS

I

DDS

I

DDS

L

读

L

写

输出取消

待机

*

=不关心

H =逻辑高

L =逻辑低

L

H

*

L

*

H

*

L

H

L

H

*

H

2001-10-03

2/12

TC55W800XB7,8

最大额定值

符号

V

DD

V

IN

V

I / O

P

D

T

SOLDER

T

英镑

T

OPR

电源电压

输入电压

输入/输出电压

功耗

焊接温度（ 10秒）

储存温度

工作温度

等级

价值

0.3~4.2

0.3*~4.2

0.5~V

DD

+

0.5

0.6

260

55~125

40~85

单位

V

W

°C

*:

2.0

V电压为25ns的脉冲宽度测量时

DC推荐工作条件（

Ta

=

40℃至85℃

)

符号

V

DD

V

IH

V

IL

V

DH

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

数据保持电源电压

V

DD

=

2.3 V~3.3 V

V

DD

=

2.7 V~3.3 V

民

2.3

2.0

2.2

0.3*

1.5

V

DD

×

0.22

3.3

V

典型值

最大

3.3

V

DD

+

0.3

单位

V

*:

2.0

V电压为25ns的脉冲宽度测量时

2001-10-03

3/12

TC55W800XB7,8

DC特性

（大

=

40 °至85° C，V

DD

=

2.3 3.3 V ）

符号

I

IL

I

OH

I

OL

I

LO

参数

输入漏

当前

输出高电流

输出低电流

输出漏

当前

V

IN

=

0 V~V

DD

V

OH

=

V

DD

0.5 V

V

OL

=

0.4 V

CE1

=

V

IH

或CE2

=

V

IL

或LB和

UB

=

V

IH

或读/写

=

V

IL

or

OE

=

V

IH

, V

OUT

=

0 V~V

DD

CE1

=

V

IL

和CE2

=

V

IH

和

LB和

UB

=

V

IL

和读/写

=

V

IH

和

I

OUT

=

0毫安和其它输入

=

V

IH

/V

IL

测试条件

民

0.5

2.1

民

t

周期

1

s

民

t

周期

1

s

典型值

0.05

最大

±1.0

50

单位

A

mA

A

l

DDO1

工作电流

l

DDO2

mA

10

45

mA

5

2

1

10

0.5

1

5

A

mA

CE1

=

0.2 V和CE2

=

V

DD

0.2 V和

LB和

UB

=

0.2 V,

读/写

=

V

DD

0.2 V和I

OUT

=

0毫安，

其他输入

=

V

DD

0.2 V/0.2 V

I

DDS1

CE1

=

V

IH

或CE2

=

V

IL

或LB和

UB

=

V

IH

CE1

=

V

DD

0.2 V

或CE2

=

0.2 V

或LB和

UB

=

V

DD

0.2 V,

V

DD

=

1.5 V~3.3 V

V

DD

=

3.0 V

±

10%

V

DD

=

3.0 V

Ta

=

25°C

Ta

= 40~85°C

Ta

=

25°C

Ta

= 40~40°C

Ta

= 40~85°C

I

DDS2

（注）

待机电流

记

½

在待机状态下与

CE1

≥

V

DD

0.2 V ，这些限制保证了条件CE2

≥

V

DD

0.2 V或CE2

≤

0.2 V.

½

在待机模式中的LB和

UB

≥

V

DD

0.2 V ，这些限制可以放心的条件

CE1

≥

V

DD

0.2 V或

CE1

≤

0.2 V和CE2

≥

V

DD

0.2 V或CE2

≤

0.2 V.

电容

（大

=

25 ° C，F

=

1兆赫）

符号

C

IN

C

OUT

注意：

参数

输入电容

输出电容

V

IN

=

GND

V

OUT

=

GND

测试条件

最大

10

单位

pF

此参数是周期性采样，而不是100％测试。

2001-10-03

4/12

TC55W800XB7,8

（大

=

40 °至85° C，V

DD

=

2.7 3.3 V ）

读周期

TC55W800XB

符号

参数

民

t

RC

t

加

t

CO1

t

CO2

t

OE

t

BA

t

COE

t

OEE

t

BE

t

OD

t

ODO

t

BD

t

OH

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（

CE1

）访问时间

芯片使能（ CE2 ）访问时间

输出启用访问时间

数据字节的控制访问时间

芯片使能低到输出有效

输出使能低到输出有效

数据字节控制低到输出有效

芯片使能高到输出高阻

输出使能高到输出高阻

数据字节控制高到输出高阻

输出数据保持时间

70

5

0

10

7

最大

70

35

70

30

民

85

5

0

10

8

最大

85

45

85

35

ns

单位

交流特性和操作条件

写周期

TC55W800XB

符号

参数

民

t

WC

t

WP

t

CW

t

BW

t

AS

t

WR

t

ODW

t

OEW

t

DS

t

DH

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

数据字节的控制来写结束

地址建立时间

写恢复时间

R / W低到输出高阻

R / W高到输出有效

数据建立时间

数据保持时间

70

50

60

0

30

0

7

最大

30

民

85

55

70

0

35

0

8

最大

35

ns

单位

AC测试条件

参数

输出负载

输入脉冲电平

定时测量

参考电平

t

R

, t

F

测试条件

30 pF的

+

1 TTL门

0.4 V, 2.4 V

V

DD

×

0.5

V

DD

×

0.5

5纳秒

2001-10-03

5/12