低噪音
提单上Ku波段的GaAs MESFET
特点
低噪声系数
NF = 1.6 dB典型值，在f = 12 GHz的
噪声系数NF （ dB）的
4
3.5
Ga
3
2.5
2
1.5
1
NF
0.5
0
1
NE76000
噪声系数&相关的增益
与频率的关系
V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安
24
21
18
15
12
9
6
3
0
10
20
L
G
= 0.3
m,
W
G
= 280
m
离子注入
描述
该NE76000提供相关联的低噪声指数和高
获得通过K波段。在NE760设备由制造
离子注入，以提高RF和DC性能，可靠性
能力和均匀性。这些器件具有一个凹陷0.3
微米门和三外延技术。的表面
装置中，除了键合焊盘，钝化用的SiO
2
和
Si
3
N
4
对于划伤保护以及表面稳定性。
NEC严格的质量保证和测试程序恩
确保最高的可靠性和性能。
频率f （ GHz）的
电气规格
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
OPT1
参数和条件
最佳的噪声系数在V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安，
F = 4 GHz的
F = 12 GHz的
在V相关的增益
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安，
F = 4 GHz的
F = 12 GHz的
输出功率在1 dB压缩，V
DS
= 3 V，I
DS
= 30 mA时， F = 12 GHz的
饱和漏极电流在V
DS
= 3 V, V
GS
= 0
夹断电压在V
DS
= 3 V，I
DS
- 0.1毫安
跨导，V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安
门源漏电流，V
GS
= -4 V
热电阻（通道到外壳）
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
mA
V
mS
A
° C / W
15
-3.0
30.0
NE76000
00 （ CHIP ）
民
TYP MAX
0.6
1.6
13.0
9.0
14.5
30
-0.8
40.0
1.0
10.0
190
50
-0.5
50
-3.0
-0.8
30.0
1.0
190
80
-0.5
NE76000L
00 （ CHIP ）
民
TYP MAX
1.8
1.8
G
A 1
8.0
8.0
P
1dB
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
R
TH （ CH -C ） 2
注意事项：
1.射频性能是通过封装和测试每片晶圆的10个样品测定;晶片拒绝标准对标准器件为2次品10
样品。
2.芯片安装在无限大的散热器。
美国加州东部实验室
相关的增益，G
A
（ dB）的
关联度高增益
G
A
= 9 dB典型值，在f = 12 GHz的
