低噪音
提单上Ku波段的GaAs MESFET
特点
低噪声系数
NF = 1.6 dB典型值，在f = 12 GHz的
噪声系数NF （ dB）的
4
3.5
Ga
3
2.5
2
1.5
1
NF
0.5
0
1
NE76000
噪声系数&相关的增益
与频率的关系
V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安
24
21
18
15
12
9
6
3
0
10
20
L
G
= 0.3
m,
W
G
= 280
m
离子注入
描述
该NE76000提供相关联的低噪声指数和高
获得通过K波段。在NE760设备由制造
离子注入，以提高RF和DC性能，可靠性
能力和均匀性。这些器件具有一个凹陷0.3
微米门和三外延技术。的表面
装置中，除了键合焊盘，钝化用的SiO
2
和
Si
3
N
4
对于划伤保护以及表面稳定性。
NEC严格的质量保证和测试程序恩
确保最高的可靠性和性能。
频率f （ GHz）的
电气规格
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
OPT1
参数和条件
最佳的噪声系数在V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安，
F = 4 GHz的
F = 12 GHz的
在V相关的增益
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安，
F = 4 GHz的
F = 12 GHz的
输出功率在1 dB压缩，V
DS
= 3 V，I
DS
= 30 mA时， F = 12 GHz的
饱和漏极电流在V
DS
= 3 V, V
GS
= 0
夹断电压在V
DS
= 3 V，I
DS
- 0.1毫安
跨导，V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安
门源漏电流，V
GS
= -4 V
热电阻（通道到外壳）
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
mA
V
mS
A
° C / W
15
-3.0
30.0
NE76000
00 （ CHIP ）
民
TYP MAX
0.6
1.6
13.0
9.0
14.5
30
-0.8
40.0
1.0
10.0
190
50
-0.5
50
-3.0
-0.8
30.0
1.0
190
80
-0.5
NE76000L
00 （ CHIP ）
民
TYP MAX
1.8
1.8
G
A 1
8.0
8.0
P
1dB
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
R
TH （ CH -C ） 2
注意事项：
1.射频性能是通过封装和测试每片晶圆的10个样品测定;晶片拒绝标准对标准器件为2次品10
样品。
2.芯片安装在无限大的散热器。
美国加州东部实验室
相关的增益，G
A
（ dB）的
关联度高增益
G
A
= 9 dB典型值，在f = 12 GHz的
NE76000
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
DS
V
GD
V
GS
I
DS
P
IN
T
CH
T
英镑
P
T2
参数
漏源极电压
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
RF输入（ CW）
通道温度
储存温度
总功耗
单位
V
V
V
mA
DBM
°C
°C
mW
评级
5
-5
-3
I
DSS
+15
175
-65到+175
240
典型的噪声参数
1
(V
DS
= 3.0, I
DS
= 10 mA）的
频率。
（千兆赫）
1
2
4
6
8
10
12
14
16
18
NF
选择
（ dB）的
0.50
0.55
0.60
0.80
1.00
1.30
1.60
1.90
2.30
2.60
G
A
（ dB）的
23.88
21.78
18.93
16.28
14.67
12.97
11.58
10.24
9.42
8.39
MAG
.84
.76
.70
.64
.60
.56
.52
.49
.48
.47
Γ
选择
昂
12
25
45
65
83
99
114
125
135
145
Rn/50
.69
.63
.49
.41
.36
.32
.27
.23
.20
.18
注意事项：
1.操作超过这些参数可能导致任一
永久性损坏。
安装在一个铜散热器2.随着芯片。
注意：
1.噪声参数包括键合线：
门：
2线人数， 1元焊盘， 0.0139"长的每根导线。
漏：
2线人数， 1元焊盘， 0.0115"长的每根导线。
来源： 4线共有2每边， 0.0066"长的每根导线。
线材：
直径0.0007" ，黄金。
典型性能曲线
（ TA = 25
°C)
功率降额曲线
300
2.5
噪声系数和相关的
增益与漏极电流
15
总功率耗散，P
T
（ mW）的
200
无限
散热器
2
G
A
10
150
100
NF
1.5
5
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
0
5
10
15
20
25
环境温度，T
A
(°C)
漏电流与
栅极电压（典型值）
V
DS
= 3 V, V
P
= -0.8 V
35
35
漏电流，我
DS
（MA ）
直流性能
30
30
漏电流，我
DS
（MA ）
漏电流，我
DS
（MA ）
V
GS
= 0 V
25
20
V
GS
= -. 2 V
15
10
V
GS
= -.4 V
5
25
20
15
10
5
V
GS
= -.6 V
0
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
门源电压，V
GS
(V)
漏极电压，V
DS
(V)
相关的增益，G
A
（ dB）的
250
噪声系数NF （ dB）的
NE76000
典型的共源散射参数
j50
j25
j100
j150
+90
+120
+60
+150
j10
S
11
26 GHz的
j250
+30
0
10
25
50
100 150 250
500
S
22
26 GHz的
-j10
S
22
0.1 GHz的
S
11
0.1 GHz的
S
12
0.1 GHz的
+180
–
S
21
0.1 GHz的
S
21
26 GHz的
1
2
S
12
26 GHz的
.15 .20
.25
0
-j250
-150
-j150
3
4
-30
-j25
-j50
-j100
在欧姆坐标
在GHz的频率
(V
DS
= 3 V，I
D
= 10 mA）的
-120
S
21
5
-90
-60
NE76000
1
V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安
频率
（千兆赫）
0.1
0.2
0.5
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
12.0
14.0
16.0
18.0
20.0
22.0
24.0
26.0
MAG
0.999
0.999
0.998
0.996
0.993
0.985
0.969
0.947
0.923
0.890
0.874
0.855
0.825
0.808
0.766
0.741
0.723
0.700
0.677
0.665
0.638
0.616
S
11
昂
-2.0
-3.0
-7.0
-13.0
-20.0
-27.0
-39.0
-50.0
-61.0
-70.0
-78.0
-87.0
-96.0
-104.0
-120.0
-135.0
-147.0
-155.0
-162.0
-171.0
178.0
164.0
MAG
3.291
3.282
3.280
3.265
3.218
3.185
3.079
2.950
2.814
2.669
2.545
2.446
2.328
2.237
2.077
1.926
1.800
1.653
1.528
1.464
1.390
1.286
S
21
昂
179.0
178.0
175.0
169.0
164.0
158.0
148.0
138.0
129.0
120.0
113.0
104.0
97.0
90.0
76.0
63.0
53.0
43.0
35.0
26.0
16.0
7.0
MAG
0.002
0.004
0.010
0.020
0.030
0.039
0.057
0.072
0.085
0.094
0.104
0.110
0.114
0.119
0.132
0.134
0.134
0.130
0.121
0.115
0.121
0.123
S
12
昂
90.0
89.0
85.0
81.0
78.0
74.0
66.0
59.0
51.0
47.0
41.0
36.0
30.0
29.0
19.0
12.0
6.0
3.0
4.0
4.0
5.0
4.0
MAG
0.677
0.677
0.675
0.673
0.671
0.666
0.655
0.640
0.621
0.602
0.590
0.579
0.565
0.565
0.558
0.549
0.553
0.530
0.519
0.520
0.537
0.538
S
22
昂
-1.0
-2.0
-4.0
-8.0
-12.0
-16.0
-23.0
-30.0
-36.0
-42.0
-47.0
-53.0
-58.0
-63.0
-73.0
-81.0
-88.0
-94.0
-99.0
-107.0
-116.0
-123.0
0.06
0.02
0.04
0.05
0.04
0.07
0.12
0.17
0.24
0.30
0.34
0.38
0.45
0.45
0.52
0.59
0.64
0.80
0.98
1.08
1.08
1.18
K
S
21
（ dB）的
10.3
10.3
10.3
10.2
10.1
10.0
9.7
9.3
8.9
8.5
8.1
7.7
7.3
6.9
6.3
5.6
5.1
4.3
3.6
3.3
2.8
2.1
MAG
2
（ dB）的
32.1
29.1
25.1
22.1
20.3
19.1
17.3
16.1
15.1
14.5
13.8
13.4
13.1
12.7
11.9
11.5
11.2
11.0
11.0
9.3
8.8
7.5
注意事项：
1. S参数，包括连接线。
门：
共有2线（S ） ， 1元焊盘， 0.0139" （ 354
m)
长每根电线。
漏：
共有2线（S ） ， 1元焊盘， 0.0115" （ 291
m)
长每根电线。
来源：共4线（S ） ， 2％的一面， 0.0066" （ 168
m)
长每根电线。
线材：
0.0007" （ 17.8
m)
径，金。
2.增益计算：
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
(
K
±
K
2
- 1
).
当K
≤
1 ， MAG是未定义的值味精使用。味精=
2
2
2
|S
21
|
, K = 1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
,
= S
11
S
22
- S
21
S
12
|S
12
|
2 |S
12
S
21
|
MAG =最大可用增益
MSG =最大稳定增益
低噪音
提单上Ku波段的GaAs MESFET
特点
低噪声系数
NF = 1.6 dB典型值，在f = 12 GHz的
噪声系数NF （ dB）的
4
3.5
Ga
3
2.5
2
1.5
1
NF
0.5
0
1
NE76000
噪声系数&相关的增益
与频率的关系
V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安
24
21
18
15
12
9
6
3
0
10
20
L
G
= 0.3
m,
W
G
= 280
m
离子注入
描述
该NE76000提供相关联的低噪声指数和高
获得通过K波段。在NE760设备由制造
离子注入，以提高RF和DC性能，可靠性
能力和均匀性。这些器件具有一个凹陷0.3
微米门和三外延技术。的表面
装置中，除了键合焊盘，钝化用的SiO
2
和
Si
3
N
4
对于划伤保护以及表面稳定性。
NEC严格的质量保证和测试程序恩
确保最高的可靠性和性能。
频率f （ GHz）的
电气规格
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
OPT1
参数和条件
最佳的噪声系数在V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安，
F = 4 GHz的
F = 12 GHz的
在V相关的增益
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安，
F = 4 GHz的
F = 12 GHz的
输出功率在1 dB压缩，V
DS
= 3 V，I
DS
= 30 mA时， F = 12 GHz的
饱和漏极电流在V
DS
= 3 V, V
GS
= 0
夹断电压在V
DS
= 3 V，I
DS
- 0.1毫安
跨导，V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安
门源漏电流，V
GS
= -4 V
热电阻（通道到外壳）
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
mA
V
mS
A
° C / W
15
-3.0
30.0
NE76000
00 （ CHIP ）
民
TYP MAX
0.6
1.6
13.0
9.0
14.5
30
-0.8
40.0
1.0
10.0
190
50
-0.5
50
-3.0
-0.8
30.0
1.0
190
80
-0.5
NE76000L
00 （ CHIP ）
民
TYP MAX
1.8
1.8
G
A 1
8.0
8.0
P
1dB
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
R
TH （ CH -C ） 2
注意事项：
1.射频性能是通过封装和测试每片晶圆的10个样品测定;晶片拒绝标准对标准器件为2次品10
样品。
2.芯片安装在无限大的散热器。
美国加州东部实验室
相关的增益，G
A
（ dB）的
关联度高增益
G
A
= 9 dB典型值，在f = 12 GHz的
NE76000
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
DS
V
GD
V
GS
I
DS
P
IN
T
CH
T
英镑
P
T2
参数
漏源极电压
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
RF输入（ CW）
通道温度
储存温度
总功耗
单位
V
V
V
mA
DBM
°C
°C
mW
评级
5
-5
-3
I
DSS
+15
175
-65到+175
240
典型的噪声参数
1
(V
DS
= 3.0, I
DS
= 10 mA）的
频率。
（千兆赫）
1
2
4
6
8
10
12
14
16
18
NF
选择
（ dB）的
0.50
0.55
0.60
0.80
1.00
1.30
1.60
1.90
2.30
2.60
G
A
（ dB）的
23.88
21.78
18.93
16.28
14.67
12.97
11.58
10.24
9.42
8.39
MAG
.84
.76
.70
.64
.60
.56
.52
.49
.48
.47
Γ
选择
昂
12
25
45
65
83
99
114
125
135
145
Rn/50
.69
.63
.49
.41
.36
.32
.27
.23
.20
.18
注意事项：
1.操作超过这些参数可能导致任一
永久性损坏。
安装在一个铜散热器2.随着芯片。
注意：
1.噪声参数包括键合线：
门：
2线人数， 1元焊盘， 0.0139"长的每根导线。
漏：
2线人数， 1元焊盘， 0.0115"长的每根导线。
来源： 4线共有2每边， 0.0066"长的每根导线。
线材：
直径0.0007" ，黄金。
典型性能曲线
（ TA = 25
°C)
功率降额曲线
300
2.5
噪声系数和相关的
增益与漏极电流
15
总功率耗散，P
T
（ mW）的
200
无限
散热器
2
G
A
10
150
100
NF
1.5
5
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
0
5
10
15
20
25
环境温度，T
A
(°C)
漏电流与
栅极电压（典型值）
V
DS
= 3 V, V
P
= -0.8 V
35
35
漏电流，我
DS
（MA ）
直流性能
30
30
漏电流，我
DS
（MA ）
漏电流，我
DS
（MA ）
V
GS
= 0 V
25
20
V
GS
= -. 2 V
15
10
V
GS
= -.4 V
5
25
20
15
10
5
V
GS
= -.6 V
0
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
门源电压，V
GS
(V)
漏极电压，V
DS
(V)
相关的增益，G
A
（ dB）的
250
噪声系数NF （ dB）的
NE76000
典型的共源散射参数
j50
j25
j100
j150
+90
+120
+60
+150
j10
S
11
26 GHz的
j250
+30
0
10
25
50
100 150 250
500
S
22
26 GHz的
-j10
S
22
0.1 GHz的
S
11
0.1 GHz的
S
12
0.1 GHz的
+180
–
S
21
0.1 GHz的
S
21
26 GHz的
1
2
S
12
26 GHz的
.15 .20
.25
0
-j250
-150
-j150
3
4
-30
-j25
-j50
-j100
在欧姆坐标
在GHz的频率
(V
DS
= 3 V，I
D
= 10 mA）的
-120
S
21
5
-90
-60
NE76000
1
V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安
频率
（千兆赫）
0.1
0.2
0.5
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
12.0
14.0
16.0
18.0
20.0
22.0
24.0
26.0
MAG
0.999
0.999
0.998
0.996
0.993
0.985
0.969
0.947
0.923
0.890
0.874
0.855
0.825
0.808
0.766
0.741
0.723
0.700
0.677
0.665
0.638
0.616
S
11
昂
-2.0
-3.0
-7.0
-13.0
-20.0
-27.0
-39.0
-50.0
-61.0
-70.0
-78.0
-87.0
-96.0
-104.0
-120.0
-135.0
-147.0
-155.0
-162.0
-171.0
178.0
164.0
MAG
3.291
3.282
3.280
3.265
3.218
3.185
3.079
2.950
2.814
2.669
2.545
2.446
2.328
2.237
2.077
1.926
1.800
1.653
1.528
1.464
1.390
1.286
S
21
昂
179.0
178.0
175.0
169.0
164.0
158.0
148.0
138.0
129.0
120.0
113.0
104.0
97.0
90.0
76.0
63.0
53.0
43.0
35.0
26.0
16.0
7.0
MAG
0.002
0.004
0.010
0.020
0.030
0.039
0.057
0.072
0.085
0.094
0.104
0.110
0.114
0.119
0.132
0.134
0.134
0.130
0.121
0.115
0.121
0.123
S
12
昂
90.0
89.0
85.0
81.0
78.0
74.0
66.0
59.0
51.0
47.0
41.0
36.0
30.0
29.0
19.0
12.0
6.0
3.0
4.0
4.0
5.0
4.0
MAG
0.677
0.677
0.675
0.673
0.671
0.666
0.655
0.640
0.621
0.602
0.590
0.579
0.565
0.565
0.558
0.549
0.553
0.530
0.519
0.520
0.537
0.538
S
22
昂
-1.0
-2.0
-4.0
-8.0
-12.0
-16.0
-23.0
-30.0
-36.0
-42.0
-47.0
-53.0
-58.0
-63.0
-73.0
-81.0
-88.0
-94.0
-99.0
-107.0
-116.0
-123.0
0.06
0.02
0.04
0.05
0.04
0.07
0.12
0.17
0.24
0.30
0.34
0.38
0.45
0.45
0.52
0.59
0.64
0.80
0.98
1.08
1.08
1.18
K
S
21
（ dB）的
10.3
10.3
10.3
10.2
10.1
10.0
9.7
9.3
8.9
8.5
8.1
7.7
7.3
6.9
6.3
5.6
5.1
4.3
3.6
3.3
2.8
2.1
MAG
2
（ dB）的
32.1
29.1
25.1
22.1
20.3
19.1
17.3
16.1
15.1
14.5
13.8
13.4
13.1
12.7
11.9
11.5
11.2
11.0
11.0
9.3
8.8
7.5
注意事项：
1. S参数，包括连接线。
门：
共有2线（S ） ， 1元焊盘， 0.0139" （ 354
m)
长每根电线。
漏：
共有2线（S ） ， 1元焊盘， 0.0115" （ 291
m)
长每根电线。
来源：共4线（S ） ， 2％的一面， 0.0066" （ 168
m)
长每根电线。
线材：
0.0007" （ 17.8
m)
径，金。
2.增益计算：
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
(
K
±
K
2
- 1
).
当K
≤
1 ， MAG是未定义的值味精使用。味精=
2
2
2
|S
21
|
, K = 1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
,
= S
11
S
22
- S
21
S
12
|S
12
|
2 |S
12
S
21
|
MAG =最大可用增益
MSG =最大稳定增益
QQ：2880707522 复制
